在開始使用該器件進行設(shè)計之前，請注意以下事項：
- 將功率元件（包括輸入和輸出電容器、電感器和 IC）放置在 PCB 的頂面。要屏蔽小信號布線并使其與有噪聲的電力線隔離，請至少插入一個實心接地內(nèi)部平面。
- VIN 去耦電容器對于 FET 的穩(wěn)健性非常重要。VIN 引腳 21 上需要一個 1μF/25V/X6S/0402 陶瓷電容器。放置這個去耦電容器的 PGND 過孔時應(yīng)確保去耦電容器比 PGND 過孔更靠近 IC。為了降低過孔連接的 ESL，建議使用兩個 8mil 過孔將 PGND 連接到內(nèi)部 PGND 平面。
- 強烈建議在 VIN 引腳 10 上使用一個 1μF/25V/X6S/0402 陶瓷電容器。如果不使用這個 0402 尺寸的電容器，則需要將更大尺寸的 VIN 去耦電容器（0603 或 0805 尺寸）盡可能靠近 IC 引腳 10 和引腳 11 放置。
- 對于大電流應(yīng)用 (IOUT > 13A)，建議在底層使用兩個 1μF/25V/X6S/0402 陶瓷電容器。這兩個電容器中的一個應(yīng)在 VIN 引腳 10 和引腳 21 之間居中。為了使該電容器具有良好的連接，需要一根 VIN 銅線（在底層上）以及兩個 VIN 過孔。另一個電容器可以放置在靠近 IC 封裝的位置，就像放置在頂層上的 0402 電容器的鏡像副本一樣。
- 至少需要將六個 PGND 過孔盡可能靠近 PGND 引腳（引腳 11 至引腳 15）放置。這樣可以更大限度減小寄生阻抗并降低熱阻。
- 將 VCC 去耦電容器（2.2μF/6.3V/X6S/0402 或 2.2μF/6.3V/X7R/0603）盡可能靠近該器件放置。確保 VCC 去耦環(huán)路最小。
- 將 BOOT 電容器盡可能靠近 BOOT 和 SW 引腳放置。使用寬度為 12mil 或更寬的布線進行連接。TI 建議使用額定電壓為 10V 的 0.1μF 至 1μF 自舉電容器。
- 連接 SW 引腳和電感器高壓側(cè)的 PCB 布線定義為開關(guān)節(jié)點。開關(guān)節(jié)點必須盡可能短且寬。
- 無論是單端檢測還是遙感，應(yīng)始終將反饋電阻放置在該器件附近以盡可能縮短 FB 布線長度。
- 對于遙感，F(xiàn)B 分壓器電阻與遠程位置之間的連接應(yīng)采用一對寬度至少為 12mil 的 PCB 布線，并應(yīng)在 0.1μF 或更高的高頻旁路電容器上實現(xiàn)開爾文檢測。遙感信號的接地連接必須連接到 VSNS– 引腳。遙感信號的 VOUT 連接必須連接到反饋電阻分壓器，并讓下部反饋電阻端接在 VSNS– 引腳上。為了保持穩(wěn)定的輸出電壓并更大限度減小紋波，這對遙感線路應(yīng)遠離任何噪聲源（例如電感器和 SW 節(jié)點）或高頻時鐘線路。建議用上下兩個接地平面屏蔽這對遙感線路。
- 對于單端檢測，請將較大的 FB 電阻連接到 0.1μF 或更高的高頻本地旁路電容器，并使用最短的布線將 VSNS– 短接至 AGND。
- 該器件在 SS/REFIN 引腳到 AGND 之間不需要電容器，因此建議不要在 SS/REFIN 引腳到 AGND 之間放置電容器。如果 CSS/REFIN 至 VSNS– 的電容器和 CSS/REFIN 至 AGND 的電容器都存在，請將 CSS/REFIN 至 VSNS– 的電容器放置得更靠近 VSNS– 引腳，使連接到 VSNS– 引腳的布線盡可能短。
- 引腳 2（AGND 引腳）必須連接到內(nèi)層上的實心 PGND 平面。使用公共 AGND 過孔將電阻連接到內(nèi)部接地平面（如果適用）。
- 請參閱圖 10-1 了解布局建議。