ZHCSL24D March 2020 – July 2021 TPS548A28
PRODUCTION DATA
8.2.2.6 選擇輸入電容器 (CIN)
該器件要求在 VIN 和 PGND 引腳之間使用輸入旁路電容器來旁路掉功率級。在布局允許的情況下，旁路電容器必須盡可能靠近 IC 的引腳放置。至少需要 10μF 的陶瓷電容和 1μF 的高頻陶瓷旁路電容器。VIN 引腳 21 上需要一個 1μF 16V X6S 0402 陶瓷電容器。VIN 引腳 10 上需要一個 1μF 16V X6S 陶瓷電容器。對于大電流應用，建議在底層使用 1μF 16V X6S 陶瓷電容器。高頻旁路電容器可更大限度減小功率級上的高頻電壓過沖。陶瓷電容器必須采用 X6S 或更高質量的電介質來實現高電容體積比并在工作溫度范圍內保持穩定特性。除此之外，根據應用的不同，輸入端可能需要更大的大容量電容，以便盡可能減小瞬態條件下輸入電壓的變化。
達到特定輸入紋波目標所需的輸入電容可通過Equation25 計算得出。建議的目標輸入電壓紋波為最小輸入電壓的 5%，在本例中為 400mV。計算得出的輸入電容為 10.07μF，最小輸入電容 10μF 超過了此值。本例采用 4 x 22μF 陶瓷電容器，滿足這兩個要求。
Equation25. 
此外，電容器的 RMS 電流額定值還必須大于應用中的最大輸入 RMS 電流。輸入電容器必須支持的輸入 RMS 電流根據Equation25 進行計算，在本例中的計算結果為 6.96A。陶瓷輸入電容器的額定電流大于此值。
Equation26. 
對于需要大容量輸入電容的應用，例如具有低輸入電壓和大電流的應用，建議使用如何選擇降壓轉換器的輸入電容器 技術簡介中的選擇過程。