ZHCSYL8 July 2025 TPS546B25W
PRODUCTION DATA
| CMD 地址 | 26h |
| 寫入事務(wù)： | 寫入字 |
| 讀取事務(wù)： | 讀取字 |
| 格式： | ULINEAR16，是否相對(duì)根據(jù) VOUT_MODE 而定 |
| 相控： | 否 |
| NVM 備份： | EEPROM |
VOUT_MARGIN_LOW 命令在 OPERATION 命令設(shè)置為“裕量低”時(shí)將輸出要更改到的電壓加載到單元中。由于在 VOUT_MODE 寄存器的位 [7] 中將 Vout 格式設(shè)置為相對(duì)，因此命令中的 Vout 將按此命令中所示的乘法系數(shù)遞減。此命令還使用由 VOUT_MODE 指定的 LSB。裕度運(yùn)算期間的輸出電壓轉(zhuǎn)換以 VOUT_TRANSITION_RATE 定義的壓擺率發(fā)生。
當(dāng) OPERATION 命令中的 MARGIN 位指示“低裕度”時(shí)，輸出電壓將更新為 VOUT_MARGIN_LOW + VOUT_TRIM 的值。
返回到支持的 PMBus 命令。
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| W | W | W | W | W | W | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_LOW（高字節(jié)） | |||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_LOW（低字節(jié)） | |||||||
| 說(shuō)明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀 |
| 位 | 字段 | 訪問(wèn) | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:10 | 保留 | R | 0b | |
| 9:0 | VOUT_MARGIN_LOW | RW | NVM | 低裕度輸出電壓。LINEAR16，是否相對(duì)根據(jù) VOUT_MODE 的設(shè)置而定 |
為了優(yōu)化此命令所需的 EEPROM 位的數(shù)量，上面寄存器中的位沒(méi)有直接備份，而是與名為 MRGN_LO_DFLT 的 NVM 備份位相關(guān)，在 EEPROM 恢復(fù)期間按如下方式使用：
| MARGIN_HI_DFLT | VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % |
|---|---|---|
| 0b | 496d | -3.125 |
| 1b | 488d | -4.6875 |
此命令的效果由 VOUT_MODE 命令的設(shè)置決定。下表還顯示了如何確定 NVM 存儲(chǔ)的 MRGN_LO_DFLT。
| VOUT_MARGIN_LOW[9:0] | 裕度 % | MRGN_LO_DFLT | |
|---|---|---|---|
| > (d) | < (d) | ||
| 500 | 1024 | -1.5625 | 0 |
| 492 | 500 | -3.125 | |
| 484 | 492 | -4.6875 | 1 |
| 476 | 484 | -6.25 | |
| 468 | 476 | -7.8125 | |
| 460 | 468 | -9.375 | |
| 452 | 460 | -10.9375 | |
| 452 | -12.5 | ||
VOUT_MARGIN_LOW 的最小和最大有效數(shù)據(jù)值遵循 VOUT_COMMAND 中的說(shuō)明。嘗試向 (26h) VOUT_MARGIN_LOW 寫入指定為有效值之外的任何值將被視為無(wú)效/不受支持的數(shù)據(jù)，并導(dǎo)致器件通過(guò)標(biāo)記相應(yīng)的狀態(tài)位并根據(jù) PMBus 1.3.1 第 II 部分規(guī)范第 10.9.3 節(jié)通知主機(jī)來(lái)進(jìn)行響應(yīng)。