ZHCSYL8 July 2025 TPS546B25W
PRODUCTION DATA
| CMD 地址 | 26h |
| 寫入事務： | 寫入字 |
| 讀取事務： | 讀取字 |
| 格式： | ULINEAR16，是否相對根據 VOUT_MODE 而定 |
| 相控： | 否 |
| NVM 備份： | EEPROM |
VOUT_MARGIN_LOW 命令在 OPERATION 命令設置為“裕量低”時將輸出要更改到的電壓加載到單元中。由于在 VOUT_MODE 寄存器的位 [7] 中將 Vout 格式設置為相對，因此命令中的 Vout 將按此命令中所示的乘法系數遞減。此命令還使用由 VOUT_MODE 指定的 LSB。裕度運算期間的輸出電壓轉換以 VOUT_TRANSITION_RATE 定義的壓擺率發生。
當 OPERATION 命令中的 MARGIN 位指示“低裕度”時，輸出電壓將更新為 VOUT_MARGIN_LOW + VOUT_TRIM 的值。
返回到支持的 PMBus 命令。
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| W | W | W | W | W | W | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_LOW（高字節） | |||||||
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW | RW |
| VOUT_MARGIN_LOW（低字節） | |||||||
| 說明：R/W = 讀取/寫入；R = 只讀 |
| 位 | 字段 | 訪問 | 復位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15:10 | 保留 | R | 0b | |
| 9:0 | VOUT_MARGIN_LOW | RW | NVM | 低裕度輸出電壓。LINEAR16，是否相對根據 VOUT_MODE 的設置而定 |
為了優化此命令所需的 EEPROM 位的數量，上面寄存器中的位沒有直接備份，而是與名為 MRGN_LO_DFLT 的 NVM 備份位相關，在 EEPROM 恢復期間按如下方式使用：
| MARGIN_HI_DFLT | VOUT_MARGIN_HIGH[10:0] | 裕度 % |
|---|---|---|
| 0b | 496d | -3.125 |
| 1b | 488d | -4.6875 |
此命令的效果由 VOUT_MODE 命令的設置決定。下表還顯示了如何確定 NVM 存儲的 MRGN_LO_DFLT。
| VOUT_MARGIN_LOW[9:0] | 裕度 % | MRGN_LO_DFLT | |
|---|---|---|---|
| > (d) | < (d) | ||
| 500 | 1024 | -1.5625 | 0 |
| 492 | 500 | -3.125 | |
| 484 | 492 | -4.6875 | 1 |
| 476 | 484 | -6.25 | |
| 468 | 476 | -7.8125 | |
| 460 | 468 | -9.375 | |
| 452 | 460 | -10.9375 | |
| 452 | -12.5 | ||
VOUT_MARGIN_LOW 的最小和最大有效數據值遵循 VOUT_COMMAND 中的說明。嘗試向 (26h) VOUT_MARGIN_LOW 寫入指定為有效值之外的任何值將被視為無效/不受支持的數據，并導致器件通過標記相應的狀態位并根據 PMBus 1.3.1 第 II 部分規范第 10.9.3 節通知主機來進行響應。