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ZHCSYL8 July 2025 TPS546B25W

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RXX|37
- MPQF618C

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RXX|37
- QFND715C

訂購(gòu)信息

6.3.15 過(guò)熱保護(hù)

為了全面覆蓋潛在的過(guò)熱事件，TPS546B25W 器件實(shí)現(xiàn)了三個(gè)過(guò)熱保護(hù)電路：兩個(gè)位于控制器芯片，一個(gè)位于功率級(jí) (PS) 芯片。

通過(guò)監(jiān)測(cè)控制器芯片溫度實(shí)現(xiàn)可編程 OTP

片上溫度檢測(cè)電路可檢測(cè)控制器芯片溫度。檢測(cè)到的信號(hào)將饋送到內(nèi)部 ADC 并轉(zhuǎn)換為控制器芯片溫度，該溫度通過(guò)遙測(cè)子系統(tǒng)報(bào)告為 (8Dh) READ_TEMP1。此功能使用數(shù)字比較器將 IC 溫度遙測(cè)的輸出與在 OT_FAULT_LIMIT 寄存器中選擇的故障閾值進(jìn)行比較。當(dāng)檢測(cè)到的 IC 溫度超過(guò)所選閾值時(shí)，該器件停止 SW 開(kāi)關(guān)。OT_FAULT_RESPONSE 中介紹了器件對(duì)可編程 OTP 事件的響應(yīng)。

通過(guò)監(jiān)測(cè)控制器芯片溫度實(shí)現(xiàn)模擬 OTP

檢測(cè)到的溫度信號(hào)也會(huì)饋入控制器芯片上的模擬 OTP 電路。使用模擬比較器將控制器芯片溫度檢測(cè)電路的輸出與固定閾值進(jìn)行比較（上升閾值典型值為 166°C）。當(dāng)檢測(cè)到的 IC 溫度超過(guò)固定閾值時(shí)，該器件停止 SW 開(kāi)關(guān)。器件對(duì)模擬 OTP 事件的響應(yīng)始終與可編程 OTP 相同。

鑒于模擬 OTP 的固定閾值（典型值為 166°C）高于可編程 OTP 中的最高設(shè)置（典型值為 150°C），在標(biāo)稱運(yùn)行期間，模擬 OTP 不太可能觸發(fā)。

通過(guò)監(jiān)測(cè)功率級(jí)芯片溫度實(shí)現(xiàn)模擬 OTP

在功率級(jí) (PS) 芯片中有一個(gè)溫度檢測(cè)電路。這個(gè)檢測(cè)值將饋入 PS 芯片上的模擬 OTP 電路。使用模擬比較器將 PS 芯片溫度檢測(cè)電路的輸出與固定閾值進(jìn)行比較（上升閾值典型值為 166°C）。當(dāng)檢測(cè)到的 IC 溫度超過(guò)固定閾值時(shí)，該器件停止 SW 開(kāi)關(guān)。當(dāng) PS 芯片溫度降至上升閾值以下 30°C 時(shí)，該器件自動(dòng)重新啟動(dòng)，并發(fā)起軟啟動(dòng)。該模擬 OTP 是一種非鎖存保護(hù)機(jī)制。