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ZHCSTS9B December 2024 – July 2025 TPS4HC120-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。

機械數據 (封裝 | 引腳)

DGQ|28

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

DGQ|28
- PPTD370

訂購信息

6.5 電氣特性

V_BB = 6V 至 18V，T_A = –40°C 至 +125°C（除非另外注明）；典型應用為 13.5V、1A、RILIM = 開路（除非另外注明）。數字輸入引腳為 EN1、EN2、EN3、EN4、SEL0、SEL1、DIAG_EN。

參數		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
輸入電壓和電流
V_UVLOR	V_BB 欠壓鎖定上升	以器件的 GND 引腳為基準測得		3.2	3.6	4.0	V
V_UVLOF	V_BB 欠壓鎖定下降	以器件的 GND 引腳為基準測得		2.5	2.75	3.0	V
V_Clamp	VDS 鉗位電壓	T_J = 25℃		35		43	V
V_Clamp	VDS 鉗位電壓	T_J = -40°C 至 +150°C		34		45	V
V_OUT,Clamp	VOUT 鉗位電壓	T_J = -40°C 至 +150°C		-31		-23	V
I_Q	啟用所有通道時的靜態電流	V_BB ≤ 28V，V_ENx = V_{DIAG_EN} = 5V，I_OUTx = 0A			3.8	4.5	mA
I_{Q,DIAG_DIS}	啟用通道時、禁用診斷時的靜態電流	V_BB ≤ 28V V_EN = 5V V_{DIA_EN} = 0V，I_OUTx = 0A			3.8	4.2	mA
I_SB	待機模式下的電流消耗	V_BB ≤ 18V，I_SNS = 0mA V_ENx = 0V，V_{DIAG_EN}= 5V，V_OUT = 0V			3.8	4.5	mA
t_STBY	進入睡眠模式之前保持待機模式的延遲時間	V_ENx = V_{DIAG_EN} = 5V 至 0V			20		ms
I_SLEEP	睡眠電流（包括 MOSFET 通道在內的器件總漏電流）	V_BB ≤ 18V，V_ENx = V_{DIAG_EN} = 0V，V_OUT = 0V	T_A = 25°C			0.5	μA
I_SLEEP	睡眠電流（包括 MOSFET 通道在內的器件總漏電流）	V_BB ≤ 18V，V_ENx = V_{DIAG_EN} = 0V，V_OUT = 0V	T_A = 125°C			2	μA
I_OUT(sleep)	每個通道的輸出漏電流	V_BB ≤ 18V，V_ENx = V_{DIAG_EN} = 0V，V_OUT = 0V	T_A = 25°C		0.01	0.2	μA
I_OUT(sleep)	每個通道的輸出漏電流	V_BB ≤ 18V，V_ENx = V_{DIAG_EN} = 0V，V_OUT = 0V	T_A = 125°C			0.5	μA
IL_NOM	每個通道的持續負載電流	所有通道均啟用	T_A = 85°C		2		A
IL_NOM	每個通道的持續負載電流	啟用一個通道	T_A = 85°C		3		A
R_ON 特性
R_ON	導通電阻	5V < V_BB ≤ 28V， I_OUT= 1A	T_J = 25°C		120		mΩ
		5V < V_BB ≤ 28V， I_OUT= 1A	T_J = 150°C			250
		3V ≤ V_BB ≤ 5V， I_OUT =1A	T_J = 25°C			175
		3V ≤ V_BB ≤ 5V， I_OUT =1A	T_J = 150°C			280
ΔR_ON	通道之間 R_ON 的差異百分比	5V < V_BB ≤ 28V， I_OUT= 1A	T_J = -40°C 至 +150°C		5		%
R_ON(REV)	反極性期間的導通電阻	–18V ≤ V_BB ≤ –6V	T_J = 25°C		120		mΩ
R_ON(REV)	反極性期間的導通電阻	–18V ≤ V_BB ≤ –6V	T_J = 150°C			250	mΩ
V_F	體二極管正向導通電壓	V_EN = 0V，I_OUT = –0.1A			0.8	1	V
電流檢測特性
K_SNS	電流檢測比 I_OUT / I_SNS	I_OUT= 1A			1040
I_SNS	電流檢測電流和精度	V_EN = V_{DIAG_EN} = 5V	I_OUT = 2A		1.9		mA
			I_OUT = 2A	-4		3	%
			I_OUT = 1.5A		1.43		mA
			I_OUT = 1.5A	-4		3	%
			I_OUT = 750mA		0.72		mA
			I_OUT = 750mA	-4		4	%
			I_OUT = 300mA		0.29		mA
			I_OUT = 300mA	-5		5	%
			I_OUT = 100mA		0.1		mA
			I_OUT = 100mA	-12		12	%
			I_OUT = 75mA		0.072		mA
			I_OUT = 75mA	-16		16	%
			I_OUT = 30mA		0.03		mA
			I_OUT = 30mA	-35		35	%
			I_OUT = 15mA		0.014		mA
			I_OUT = 15mA	-75		75	%
SNS 特性
V_SNSFH	V_SNS 故障高電平	V_{DIAG_EN} = 5V，R_SNS= 1k?		4.5	5	5.2	V
		V_{DIAG_EN} = 3.3V，R_SNS= 1k?		3.2	3.6	3.9
		V_{DIAG_EN} = 1.8V，R_SNS= 1k?		3.2	3.6	3.9
I_SNSFH	I_SNS 故障高電平	V_{DIAG_EN} > V_{IH,DIAG_EN}		4.5		6.5	mA
V_{BB_ISNS}	完整的電流檢測和故障功能所需的 V_BB 余量	V_{DIAG_EN} = 3.3V	以器件的 GND 引腳為基準測得	5			V
V_{BB_ISNS}	完整的電流檢測和故障功能所需的 V_BB 余量	V_{DIAG_EN} = 5V	以器件的 GND 引腳為基準測得	6.5			V
電流限制特性
I_CL	I_CL 電流限制設置	R_ILIM > 60k?（ILIM = 開路）		3.8	4.8	5.6	A
		R_ILIM < 1.1k? (ILIM = GND)		1.9	2.2	2.4
		R_ILIM = 2.49k?			1.9
		R_ILIM = 4.87k?			1.7
		R_ILIM = 9.76k?			1.5
		R_ILIM = 16.5k?		1.1	1.25	1.4
		R_ILIM= 23.2k?			1
		R_ILIM = 31.6k?			0.75
		R_ILIM = 43.2k?⁽¹⁾			0.5
		R_ILIM = 57.6k?⁽¹⁾		0.19	0.25	0.32
I_{CL_LINPK}	線性模式峰值	T_J = –40°C 至 +150°C， dI/dt < 0.01A/ms	I_ILIM = 0.25A 至 2.2A			1.6 × I_CL	A
I_{CL_ENPS}	峰值電流可導致永久短路	T_J = -40°C 至 +150°C	負載 = 5μH +100m?			2.25 × I_CL	A
I_OVCR	啟用開關后施加短路時的 OVCR 峰值電流	T_J = -40°C 至 +150°C	負載 = 5μH +100m?			12	A
故障特性
R_OL	開路負載 (OL) 檢測內部電阻	V_EN = 0V，V_{DIAG_EN} = 5V		100	150	175	k?
t_OL	開路負載 (OL) 檢測抗尖峰脈沖時間	V_EN = 0V，V_{DIAG_EN} = 5V，V_BB – V_OUT < V_OL 時，持續時間長于 t_OL.檢測到開路負載。			300	500	μs
V_OL	開路負載 (OL) 檢測電壓	V_EN = 0V，V_{DIAG_EN} = 5V				1.5	V
t_OL1	從 EN 下降沿開始的 OL 和 STB 指示時間	V_EN= 5V 至 0V，V_{DIAG_EN} = 5V I_OUT = 0mA，V_OUT = V_BB – V_OL				500	μs
t_OL2	從 DIA_EN 上升開始的 OL 和 STB 指示時間	V_EN = 0V，V_{DIAG_EN} = 0V 至 5V I_OUT= 0mA，V_OUT = V_BB – V_OL				600	μs
T_ABS	CHx 熱關斷閾值			162			°C
T_HYS	CHx 熱關斷遲滯					30	°C
T_REL	CHx 相對熱關斷				80		°C
t_{FAULT_FLT}	故障指示時間	V_{DIAG_EN} = 5V 出現故障和 FLT 置為有效之間的時間				60	μs
t_{FAULT_SNS}	故障指示時間	V_{DIAG_EN} = 5V 故障與 I_SNS 穩定在 V_SNSFH 之間的時間				60	μs
t_RETRY	重試時間	從故障關斷到開關重新啟用的時間（熱關斷）。		1	2	3	ms
低功耗模式
I_LPM,enter	進入 LPM 的負載電流電平	t > t_STBY		83	110	137	mA
ILPM,exit	退出 LPM 的負載電流電平			130	165	200	mA
R_DSON,LPM	低功耗模式下的 R_DSON	50mA I_LOAD			130		mΩ
I_Q,LPM	啟用所有通道時 LPM 下每通道的靜態電流	I_LOAD = 0mA，T_A = –40℃ 至 +125℃				20	μA
t_LPM	LPM 轉換指示時間	處于 LPM 的器件在電流增加和 LPM 被置位之間的退出時間				50	μs
t_WAKE	從 LPM 恢復/退出的時間	處于 LPM 的器件在喚醒中斷（EN、DIAG_EN 引腳）和 LPM 置位之間的轉換時間				50	μs
I_PKLPM,exit	LPM 的電流峰值，電流設定 ≤ 2.25A	LPM 下立即關斷的峰值電流， T_A = –40°C 至 +125°C			1.6 × I_LIM
數字輸入引腳特性
V_{IL, DIN}	輸入電壓低電平	無接地網絡				0.8	V
V_{IH, DIN}	輸入電壓高電平	無接地網絡		1.5			V
V_{IHYS, DIN}	輸入電壓遲滯			100			mV
R_{PD_DIN}	ENx、DIAG_EN 的內部下拉電阻			0.7	1	1.3	MΩ
R_{PD_DIN}	SEL0、SEL1 的內部下拉電阻			0.7	1	1.3	MΩ
I_{IH, DIN}	SEL0、SEL1 的輸入電流高電平	V_DINx = 5.5V				10	μA
I_{IH, DIN}	DIAG_EN 的輸入電流高電平	V_{DIAG_EN} = 5.5V				30	μA
I_{IH, DIN}	ENx 的輸入電流高電平	V_ENx = 5.5V				30	μA
數字輸出引腳特性
V_LPM	LPM 低輸出電壓	I_LPM = 2mA				0.4	V
V_FLT	FLT 低輸出電壓	I_FLT = 2mA				0.4	V

(1) 如果使用 GND 網絡，該電流限制設置的精度會偏離表中的數值。