ZHCSTS9B December 2024 – July 2025 TPS4HC120-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
高精度可調節電流限制可實現更高的可靠性,從而可通過編程到可接受的電平,在短路或上電期間保護電源和導線。此外,電流限制還可以通過減少 PCB 布線、連接器尺寸、前一個功率級容量以及減小線規,來幫助用戶節省系統成本。
電流限制提供了保護功能,可防止負載和集成的功率 FET 出現過應力。電流限制將輸出電流調節到設定值,將 FLT 引腳置為有效,如果器件設置為在 SNS 引腳上輸出該通道,則將 SNS 引腳上拉至 VSNSFH。
該器件可編程為通過 ILIM 引腳上的外部電阻器保持不同的電流限值。有 10 個電流限值,可以根據表 7-1 中的電阻值進行設置。建議 RILIM 電阻器的容差 ≤ 1%。
| 允許的電阻值(1) | ILIM 閾值 |
|---|---|
| 57.6kΩ | 250mA |
| 43.2kΩ | 500mA |
| 31.6kΩ | 750mA |
| 23.2kΩ | 1A |
| 16.5kΩ | 1.25A |
| 9.76kΩ | 1.5A |
| 4.87kΩ | 1.75A |
| 2.49kΩ | 2A |
| 短接至 GND (<1.1kΩ) | 2.25A |
| 開路 (> 60kΩ) | 5A |
要設置不同的浪涌電流限制和穩態電流限制,可以在器件導通時動態更改電流限制電阻。采用基于 MOSFET 的控制方案來即時更改電流限制。不過,要仔細考慮 ILIM 引腳上的元件和布局,以盡量減小引腳上的電容。ILIM 引腳上任何 ≥ 100pF 的電容都有可能影響電流限制功能。選擇具有低輸入電容的 MOSFET 來達成動態電流限制。
當 IOUTx 達到調節閾值電平 ICL 時,會發生電流限制事件。當 IOUT 達到電流限制閾值 ICL 時,該器件能夠保持啟用狀態,并將 IOUTx 限制為 ICL。當器件保持啟用狀態(并限制 IOUT)時,由于 FET 中的功率耗散很高,有可能會觸發熱關斷。圖 7-7 示出了器件被短路啟用時的調節環路響應。此圖示出了節 4中列出的自動重試版本的情形。鎖存版本在第一次熱關斷后關閉。請留意,電流峰值 (ICL_ENPS) 有可能高于調節閾值 (ICL)。
發生過流事件時,電流限制必須快速響應,以便限制短路(過熱和短路啟用)時出現的峰值電流。限制峰值,以確保在給定的電源電容值下電源電壓不會下降。此峰值限制對于器件由直流/直流電源而不是汽車電池供電的應用尤其重要。
然而,在過載條件下,在應用電流限制之前,開關有可能會提供比電流限制調節回路閾值 (ICL) 更高的輸出電流 (ICL_LINPK)。
在啟用開關時,該器件會施加強下拉電阻,以限制短路事件期間的電流。在電流限制調節環路接通且開關接通之前,電流將下降到零,其行為類似于短路啟用的情況。