ZHCSTS9B December 2024 – July 2025 TPS4HC120-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電壓和電流 | |||||||
| VUVLOR | VBB 欠壓鎖定上升 | 以器件的 GND 引腳為基準測得 | 3.2 | 3.6 | 4.0 | V | |
| VUVLOF | VBB 欠壓鎖定下降 | 以器件的 GND 引腳為基準測得 | 2.5 | 2.75 | 3.0 | V | |
| VClamp | VDS 鉗位電壓 | TJ = 25℃ | 35 | 43 | V | ||
| TJ = -40°C 至 +150°C | 34 | 45 | |||||
| VOUT,Clamp | VOUT 鉗位電壓 | TJ = -40°C 至 +150°C | -31 | -23 | V | ||
| IQ | 啟用所有通道時的靜態電流 | VBB ≤ 28V,VENx = VDIAG_EN = 5V,IOUTx = 0A | 3.8 | 4.5 | mA | ||
| IQ,DIAG_DIS | 啟用通道時、禁用診斷時的靜態電流 | VBB ≤ 28V VEN = 5V VDIA_EN = 0V,IOUTx = 0A |
3.8 | 4.2 | mA | ||
| ISB | 待機模式下的電流消耗 | VBB ≤ 18V,ISNS = 0mA VENx = 0V,VDIAG_EN = 5V,VOUT = 0V |
3.8 | 4.5 | mA | ||
| tSTBY | 進入睡眠模式之前保持待機模式的延遲時間 | VENx = VDIAG_EN = 5V 至 0V | 20 | ms | |||
| ISLEEP | 睡眠電流(包括 MOSFET 通道在內的器件總漏電流) | VBB ≤ 18V,VENx = VDIAG_EN = 0V,VOUT = 0V | TA = 25°C | 0.5 | μA | ||
| TA = 125°C | 2 | ||||||
| IOUT(sleep) | 每個通道的輸出漏電流 | VBB ≤ 18V,VENx = VDIAG_EN = 0V,VOUT = 0V | TA = 25°C | 0.01 | 0.2 | μA | |
| TA = 125°C | 0.5 | ||||||
| ILNOM | 每個通道的持續負載電流 | 所有通道均啟用 | TA = 85°C | 2 | A | ||
| 啟用一個通道 | 3 | ||||||
| RON 特性 | |||||||
| RON | 導通電阻 | 5V < VBB ≤ 28V, IOUT= 1A |
TJ = 25°C | 120 | mΩ | ||
| TJ = 150°C | 250 | ||||||
| 3V ≤ VBB ≤ 5V, IOUT =1A |
TJ = 25°C | 175 | |||||
| TJ = 150°C | 280 | ||||||
| ΔRON | 通道之間 RON 的差異百分比 | 5V < VBB ≤ 28V, IOUT= 1A |
TJ = -40°C 至 +150°C | 5 | % | ||
| RON(REV) | 反極性期間的導通電阻 | –18V ≤ VBB ≤ –6V | TJ = 25°C | 120 | mΩ | ||
| TJ = 150°C | 250 | ||||||
| VF | 體二極管正向導通電壓 | VEN = 0V,IOUT = –0.1A | 0.8 | 1 | V | ||
| 電流檢測特性 | |||||||
| KSNS | 電流檢測比 IOUT / ISNS |
IOUT = 1A | 1040 | ||||
| ISNS | 電流檢測電流和精度 | VEN = VDIAG_EN = 5V | IOUT = 2A | 1.9 | mA | ||
| -4 | 3 | % | |||||
| IOUT = 1.5A | 1.43 | mA | |||||
| -4 | 3 | % | |||||
| IOUT = 750mA | 0.72 | mA | |||||
| -4 | 4 | % | |||||
| IOUT = 300mA | 0.29 | mA | |||||
| -5 | 5 | % | |||||
| IOUT = 100mA | 0.1 | mA | |||||
| -12 | 12 | % | |||||
| IOUT = 75mA | 0.072 | mA | |||||
| -16 | 16 | % | |||||
| IOUT = 30mA | 0.03 | mA | |||||
| -35 | 35 | % | |||||
| IOUT = 15mA | 0.014 | mA | |||||
| -75 | 75 | % | |||||
| SNS 特性 | |||||||
| VSNSFH | VSNS 故障高電平 | VDIAG_EN = 5V,RSNS= 1k? | 4.5 | 5 | 5.2 | V | |
| VDIAG_EN = 3.3V,RSNS= 1k? | 3.2 | 3.6 | 3.9 | ||||
| VDIAG_EN = 1.8V,RSNS= 1k? | 3.2 | 3.6 | 3.9 | ||||
| ISNSFH | ISNS 故障高電平 | VDIAG_EN > VIH,DIAG_EN | 4.5 | 6.5 | mA | ||
| VBB_ISNS | 完整的電流檢測和故障功能所需的 VBB 余量 | VDIAG_EN = 3.3V | 以器件的 GND 引腳為基準測得 | 5 | V | ||
| VDIAG_EN = 5V | 6.5 | ||||||
| 電流限制特性 | |||||||
| ICL | ICL 電流限制設置 | RILIM > 60k?(ILIM = 開路) | 3.8 | 4.8 | 5.6 | A | |
| RILIM < 1.1k? (ILIM = GND) | 1.9 | 2.2 | 2.4 | ||||
| RILIM = 2.49k? | 1.9 | ||||||
| RILIM = 4.87k? | 1.7 | ||||||
| RILIM = 9.76k? | 1.5 | ||||||
| RILIM = 16.5k? | 1.1 | 1.25 | 1.4 | ||||
| RILIM = 23.2k? | 1 | ||||||
| RILIM = 31.6k? | 0.75 | ||||||
| RILIM = 43.2k?(1) | 0.5 | ||||||
| RILIM = 57.6k?(1) | 0.19 | 0.25 | 0.32 | ||||
| ICL_LINPK | 線性模式峰值 | TJ = –40°C 至 +150°C, dI/dt < 0.01A/ms |
IILIM = 0.25A 至 2.2A | 1.6 × ICL | A | ||
| ICL_ENPS | 峰值電流可導致永久短路 | TJ = -40°C 至 +150°C | 負載 = 5μH +100m? | 2.25 × ICL | A | ||
| IOVCR | 啟用開關后施加短路時的 OVCR 峰值電流 | TJ = -40°C 至 +150°C | 負載 = 5μH +100m? | 12 | A | ||
| 故障特性 | |||||||
| ROL | 開路負載 (OL) 檢測內部電阻 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V | 100 | 150 | 175 | k? | |
| tOL | 開路負載 (OL) 檢測抗尖峰脈沖時間 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V,VBB – VOUT < VOL 時,持續時間長于 tOL.檢測到開路負載。 | 300 | 500 | μs | ||
| VOL | 開路負載 (OL) 檢測電壓 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 5V | 1.5 | V | |||
| tOL1 | 從 EN 下降沿開始的 OL 和 STB 指示時間 | VEN = 5V 至 0V,VDIAG_EN = 5V IOUT = 0mA,VOUT = VBB – VOL |
500 | μs | |||
| tOL2 | 從 DIA_EN 上升開始的 OL 和 STB 指示時間 | VEN = 0V,VDIAG_EN = 0V 至 5V IOUT = 0mA,VOUT = VBB – VOL |
600 | μs | |||
| TABS | CHx 熱關斷閾值 | 162 | °C | ||||
| THYS | CHx 熱關斷遲滯 | 30 | °C | ||||
| TREL | CHx 相對熱關斷 | 80 | °C | ||||
| tFAULT_FLT | 故障指示時間 | VDIAG_EN = 5V 出現故障和 FLT 置為有效之間的時間 |
60 | μs | |||
| tFAULT_SNS | 故障指示時間 | VDIAG_EN = 5V 故障與 ISNS 穩定在 VSNSFH 之間的時間 |
60 | μs | |||
| tRETRY | 重試時間 | 從故障關斷到開關重新啟用的時間(熱關斷)。 | 1 | 2 | 3 | ms | |
| 低功耗模式 | |||||||
| ILPM,enter | 進入 LPM 的負載電流電平 | t > tSTBY | 83 | 110 | 137 | mA | |
| ILPM,exit | 退出 LPM 的負載電流電平 | 130 | 165 | 200 | mA | ||
| RDSON,LPM | 低功耗模式下的 RDSON | 50mA ILOAD | 130 | mΩ | |||
| IQ,LPM | 啟用所有通道時 LPM 下每通道的靜態電流 | ILOAD = 0mA,TA = –40℃ 至 +125℃ | 20 | μA | |||
| tLPM | LPM 轉換指示時間 | 處于 LPM 的器件在電流增加 和 LPM 被置位之間的退出時間 |
50 | μs | |||
| tWAKE | 從 LPM 恢復/退出的時間 | 處于 LPM 的器件在喚醒中斷(EN、DIAG_EN 引腳) 和 LPM 置位之間的轉換時間 |
50 | μs | |||
| IPKLPM,exit | LPM 的電流峰值,電流設定 ≤ 2.25A | LPM 下立即關斷的峰值電流, TA = –40°C 至 +125°C |
1.6 × ILIM | ||||
| 數字輸入引腳特性 | |||||||
| VIL, DIN | 輸入電壓低電平 | 無接地網絡 | 0.8 | V | |||
| VIH, DIN | 輸入電壓高電平 | 無接地網絡 | 1.5 | V | |||
| VIHYS, DIN | 輸入電壓遲滯 | 100 | mV | ||||
| RPD_DIN | ENx、DIAG_EN 的內部下拉電阻 | 0.7 | 1 | 1.3 | MΩ | ||
| SEL0、SEL1 的內部下拉電阻 | 0.7 | 1 | 1.3 | ||||
| IIH, DIN | SEL0、SEL1 的輸入電流高電平 | VDINx = 5.5V | 10 | μA | |||
| DIAG_EN 的輸入電流高電平 | VDIAG_EN = 5.5V | 30 | |||||
| IIH, DIN | ENx 的輸入電流高電平 | VENx = 5.5V | 30 | μA | |||
| 數字輸出引腳特性 | |||||||
| VLPM | LPM 低輸出電壓 | ILPM = 2mA | 0.4 | V | |||
| VFLT | FLT 低輸出電壓 | IFLT = 2mA | 0.4 | V | |||