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ZHCSQX8A February 2025 – May 2025 TPS4141-Q1

ADVANCE INFORMATION

封裝選項

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DWQ|11
- MPSS144A

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsqx8a_oa

5.6 電氣特性

除非另有說明，否則所有最小/最大規(guī)格都在建議運行條件下測得。所有典型值都在 T_J = 25℃、V_VDD = 5V、V_CE = 5V、C_AOUT = 47nF、R_AOUT = 200? 的條件下測得。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
精密電阻分壓器和放大器
R_TOTAL	從 HV 到 HVGND 或從 HV 到 REF 的電阻。		25	30	37	MΩ
DIV_NOM	標稱分壓比	DIV1 = L，DIV0 = L		160		V/V
		DIV1 = L，DIV0 = H		320		V/V
		DIV1 = H、DIV0 = L		640		V/V
		DIV1 = H、DIV0 = H		1000		V/V
增益_誤差⁽¹⁾⁽²⁾	DIV = 160V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	T_J = 25°C	-0.15		0.15	%
	DIV = 160V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	–40°C ≤ T_J ≤ 150°C	-0.25		0.25	%
	DIV = 320V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	T_J = 25°C	-0.15		0.15	%
	DIV = 320V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	–40°C ≤ T_J ≤ 150°C	-0.25		0.25	%
	DIV = 640V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	T_J = 25°C	-0.15		0.15	%
	DIV = 640V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	–40°C ≤ T_J ≤ 150°C	-0.25		0.25	%
	DIV = 1000V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	T_J = 25°C	-0.15		0.15	%
	DIV = 1000V/V 設置。標稱增益 = 1/DIV。	–40°C ≤ T_J ≤ 150°C	-0.25		0.25	%
V_{OFFSET_HV}	以 HV 輸入為基準的測量偏移電壓。	–40°C ≤ T_J ≤ 150°C	-240		240	mV
CMR_AIN	放大器共模輸入范圍		0		3.0	V
CMR_AOUT	放大器共模輸出范圍		0		4.1	V
BW_{HV_REF}	測量帶寬 — HV 至 AOUT、REF 至 AOUT	DIV = 160		7		kHz
		DIV = 320		14		kHz
		DIV = 640		30		kHz
		DIV =1000		53		kHz
電源 (VDD)
V_{UVLO_R}	VDD 欠壓閾值上升	VDD 上升	4	4.2	4.4	V
V_{UVLO_F}	VDD 欠壓閾值下降	VDD 下降	3.9	4.1	4.3	V
V_{UVLO_HYS}	VDD 欠壓閾值遲滯			160		mV
I_{VDD_ON}	VDD 電流，器件上電	T_J = 25°C		4		mA
I_{VDD_ON}	VDD 電流，器件上電	–40°C ≤ T_J ≤ 150°C		4	7.5	mA
I_{VDD_OFF}	VDD 電流，器件斷電	V_VDD = 5V，V_CE = 0V，T_J = 25°C		4	7	μA
		V_VDD = 5V，V_CE = 0V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C			48	μA
		V_VDD = 20V，V_CE = 0V，T_J = 25°C		8	15	μA
		V_VDD = 20V，V_CE = 0V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C			60	μA
開關特性
I_OFF	關斷漏電流	CE = L， V_HV = 1200V，T_J = 25°C		0.02	0.15	μA
		CE = L， V_HV = 1200V，T_J = 85°C			0.5
		CE = L， V_HV = 1200V，T_J = 105°C			1
		CE = L， V_HV = 1200V，T_J = 125°C			5
		CE = L， V_HV = 1200V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C			30
BV_VDSS	開關擊穿電壓。	I_HV = 8μA、T_J = 25°C CE = L	1270	1550		V
BV_VDSS	開關擊穿電壓。	I_HV = 30μA，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C CE = L	1270	1550		V
C_OSS	HV 電容	V_HV = 0V，f = 1MHz		2		pF
邏輯電平輸入（CE、DIV0、DIV1）
V_IL、CE	芯片使能輸入邏輯低電壓		0.0		0.8	V
V_IH、CE	芯片使能輸入邏輯高電壓		2.4		20.0	V
V_HYS、CE	芯片使能輸入邏輯遲滯			225		mV
V_IL、DIVx	DIV0/DIV1 低電平狀態(tài)的輸入邏輯				0.8	V
V_IM、DIVx	DIV0/DIV1 中間狀態(tài)的輸入邏輯		1.3		1.8	V
V_IH、DIVx	DIV0/DIV1 高電平狀態(tài)的輸入邏輯		2.4			V
V_HYS、DIVx	DIV0/DIV1 輸入邏輯遲滯。			180		mV
I_{IL_CE}	輸入邏輯低電平電流	V_CE = 0V	-0.1		0.1	μA
I_{IL_CE}	輸入邏輯低電平電流	V_CE = 0.8V	1.3	2.3	4	μA
I_{IH_CE}	輸入邏輯高電流	V_CE = 5V	6.5	11	20	μA
I_{IH_CE}	輸入邏輯高電流	V_CE = 20V	6.6	12	22	μA
I_{IL_DIVx}	輸入邏輯低電平電流	V_DIVx = 0V	-23	-14	-8	μA
I_{IL_DIVx}	輸入邏輯低電平電流	V_DIVx = 0.8V	-11	-7	-4	μA
I_{IM_DIVx}	輸入邏輯中電流	V_DIVx = 1.3V	-4	-2	-1	μA
I_{IM_DIVx}	輸入邏輯中電流	V_DIVx = 1.8V	1.3	2.4	5	μA
I_{IH_DIVx}	輸入邏輯高電流	V_DIVx = 2.4V	4	8	23	μA
		V_DIVx = 5V	9	17	32	μA
		V_DIVx = 20V	9	17	32	μA
R_{PD_CE}	CE 上的下拉電阻		200	360	580	kΩ
R_{PU_DIVx}	DIV0、DIV1 上的上拉電阻		200	360	580	kΩ
R_{PD_DIVx}	DIV0、DIV1 上的下拉電阻		80	165	375	kΩ

(1) 計算得出的增益誤差 (%) = 100 × [DIV_nom（V_{AOUT、HV_max} - V_{AOUT、HV_min}）/（V_{HV_max} - V_{HV_min}） - 1]

(2) 請參閱高電壓輸入范圍，了解單向和雙向運行所支持的 V_HV 輸入范圍。