ZHCSQX8A February 2025 – May 2025 TPS4141-Q1
ADVANCE INFORMATION
組件放置：
用于對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行濾波的去耦電容器必須盡可能靠近器件引腳放置。此操作可降低布線電感的影響并減少信號(hào)干擾。
EMI 注意事項(xiàng)：
為了更大限度地減少 EMI，HV 和 HVGND 之間的電容將為器件產(chǎn)生的任何共模噪聲提供低阻抗路徑。在許多應(yīng)用中，某種形式的電容可能已經(jīng)存在并足以用于此目的。
IEC ESD 注意事項(xiàng)：
為了提高穩(wěn)健性以滿足 IEC ESD 接觸放電的要求，可以在 HV 和 HVGND 之間放置電容。如此一來，該電容便具有雙重用途，可提高 ESD 和 EMI 性能。通常，可能需要用到三到四個(gè)串聯(lián)電容器來滿足爬電距離和間隙要求，具體取決于施加的系統(tǒng)電壓。
高電壓注意事項(xiàng)：
為了確保 HV 和 HVGND 之間的高電壓間距，請(qǐng)避免在器件下方放置 PCB 或銅。為滿足爬電距離和間隙標(biāo)準(zhǔn)，必須進(jìn)行正確的放置和布線，以便信號(hào)傳輸?shù)?HV 和所有低壓引腳。
散熱注意事項(xiàng)：
適當(dāng)?shù)?PCB 布局有助于將器件產(chǎn)生的熱量散發(fā)到 PCB，并最大限度地降低結(jié)到電路板的熱阻抗 (θJB)。