ZHCSQX8A February 2025 – May 2025 TPS4141-Q1
ADVANCE INFORMATION
為幫助確保實(shí)現(xiàn)可靠的電源電壓,德州儀器 (TI) 建議在 VDD 和 HVGND 之間放置旁路電容器。該電容包含一個(gè)用于高頻去耦的 0.1μF 旁路電容器,并與一個(gè)用于低頻去耦的 1μF 電容器并聯(lián)。必須在靠近器件的位置 (< 5mm) 連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。