ZHCSTT3 March 2025 TPS2HC120-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
訂購信息
7.3.5 電感負(fù)載關(guān)斷鉗位
斷開電感負(fù)載時，電感電抗會導(dǎo)致輸出電壓趨于負(fù)值。過高的負(fù)電壓可能導(dǎo)致功率 FET 損壞。為了保護(hù)功率 FET，器件在漏極和源極之間實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部鉗位功能，即 VDS(clamp)。
方程式 2. 
在消磁期間 (tdecay)，功率 FET 導(dǎo)通以進(jìn)行電感能量耗散。總能量在高側(cè)開關(guān)中耗散。總能量包括電源的能量 (E(VS)) 和負(fù)載的能量 (E(load))。如果電阻與電感串聯(lián)，則部分負(fù)載能量會在電阻中耗散。
方程式 3. 
當(dāng)電感負(fù)載關(guān)斷時，E(HSS) 會在器件上引起高熱應(yīng)力。功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板耗散條件。
圖 7-10 漏源鉗位結(jié)構(gòu)
圖 7-11 電感負(fù)載關(guān)斷圖從高側(cè)開關(guān)的角度來看，E(HSS) 等于消磁期間的積分值。
方程式 4. 
當(dāng) R 大概等于 0 時，E(HSD) 可以簡單地表示為：
方程式 5. 
請注意，對于 PWM 控制的電感負(fù)載，建議添加如圖 7-12 所示的外部續(xù)流電路，以保護(hù)器件免受重復(fù)性功率應(yīng)力的影響。TVS 用于實(shí)現(xiàn)快速衰減。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請參閱圖 7-12。
圖 7-12 通過外部電路提供保護(hù)