ZHCSTT3 March 2025 TPS2HC120-Q1
PRODUCTION DATA
斷開電感負(fù)載時,電感電抗會導(dǎo)致輸出電壓趨于負(fù)值。過高的負(fù)電壓可能導(dǎo)致功率 FET 損壞。為了保護(hù)功率 FET,器件在漏極和源極之間實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部鉗位功能,即 VDS(clamp)。

在消磁期間 (tdecay),功率 FET 導(dǎo)通以進(jìn)行電感能量耗散。總能量在高側(cè)開關(guān)中耗散。總能量包括電源的能量 (E(VS)) 和負(fù)載的能量 (E(load))。如果電阻與電感串聯(lián),則部分負(fù)載能量會在電阻中耗散。

當(dāng)電感負(fù)載關(guān)斷時,E(HSS) 會在器件上引起高熱應(yīng)力。功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板耗散條件。
圖 7-10 漏源鉗位結(jié)構(gòu)
圖 7-11 電感負(fù)載關(guān)斷圖從高側(cè)開關(guān)的角度來看,E(HSS) 等于消磁期間的積分值。

當(dāng) R 大概等于 0 時,E(HSD) 可以簡單地表示為:

請注意,對于 PWM 控制的電感負(fù)載,建議添加如圖 7-12 所示的外部續(xù)流電路,以保護(hù)器件免受重復(fù)性功率應(yīng)力的影響。TVS 用于實(shí)現(xiàn)快速衰減。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請參閱圖 7-12。
圖 7-12 通過外部電路提供保護(hù)