高精度可調(diào)節(jié)電流限制可實現(xiàn)更高的可靠性，從而可通過編程到可接受的電平，在短路或上電期間保護電源和導線。此外，電流限制還可以通過減少 PCB 布線、連接器尺寸、前一個功率級容量以及減小線規(guī)，來節(jié)省系統(tǒng)成本。

電流限制提供了保護功能，可防止負載和集成的功率 FET 出現(xiàn)過應力。電流限制將輸出電流調(diào)節(jié)到設定值，將 FLT 引腳置為有效，如果器件設置為在 SNS 引腳上輸出該通道，則將 SNS 引腳上拉至 V_SNSFH。

• 該器件可編程為通過 ILIM 引腳上的外部電阻器保持不同的電流限值。有 10 個電流限值，可根據(jù)通過外部電阻器設置的電流限制 中的電阻值進行設置。通過外部電阻器設置的電流限制 中列出的電阻值偏離 ≥2% 可能導致 ILIM 閾值偏移。R_ILIM 電阻器應使用容差 ≤1% 的電阻器。
  表 7-1 通過外部電阻器設置的電流限制

  允許的電阻值(1)	ILIM 閾值
  57.6kΩ	250mA
  43.2kΩ	500mA
  31.6kΩ	750mA
  23.2kΩ	1A
  16.5kΩ	1.25A
  9.76kΩ	1.5A
  4.87kΩ	1.75A
  2.49kΩ	2A
  短接至 GND (<1.1kΩ)	2.25A
  開路 (>60kΩ)	5A

要設置不同的浪涌電流限制和穩(wěn)態(tài)電流限制，可在器件導通時動態(tài)更改電流限制電阻。可以采用基于 MOSFET 的控制方案來實時更改電流限制。不過，需要仔細考慮 ILIM 引腳上的元件和布局，以盡量減小引腳上的電容。如果動態(tài)切換 ILIM 閾值，ILIM 引腳上的任何 ≥100pF 的電容都可能影響從一項 ILIM 設置到另一項 ILIM 設置的轉(zhuǎn)換速度，這可能導致不必要的關斷。需要選擇具有低輸入電容的 MOSFET 來實現(xiàn)動態(tài)電流限制變化。

當 I_OUTx 達到調(diào)節(jié)閾值電平 I_CL 時，會發(fā)生電流限制事件。當 I_OUT 達到電流限制閾值 I_CL 時，該器件可以保持啟用狀態(tài)，并將 I_OUTx 限制為 I_CL。當器件保持啟用狀態(tài)（并限制 I_OUT）時，由于 FET 中的功率耗散很高，可能會觸發(fā)熱關斷。啟用至短路電流限制（自動重試版本） 展示了器件被短路啟用時的調(diào)節(jié)環(huán)路響應。此圖顯示了 器件比較表 中列出的自動重試版本的情形。鎖存版本將在第一次熱關斷后關閉。請注意，電流峰值 (I_{CL_ENPS}) 可能高于調(diào)節(jié)閾值 (I_CL)。

發(fā)生過流事件時，電流限制必須快速響應，以限制短路（過熱和短路啟用）時出現(xiàn)的峰值電流。必須限制峰值，以確保在給定的電源電容值下電源電壓不會下降。這對于器件由直流/直流電源而不是汽車電池供電的應用尤其重要。

圖 7-7 啟用至短路電流限制（自動重試版本）

然而，在過載條件下，在應用電流限制之前，開關可能會提供比電流限制調(diào)節(jié)回路閾值 (I_CL) 更高的輸出電流 (I_{CL_LINPK})。

圖 7-8 軟短路的線性峰值（自動重試版本）

在啟用開關時，該器件會施加強下拉電阻，以限制短路事件期間的電流。然后，在電流限制調(diào)節(jié)環(huán)路接通且開關接通之前，電流將下降到零，其行為類似于短路啟用的情況。

圖 7-9 熱短路事件（自動重試版本）