ZHCSO18B December 2022 – August 2024 TPS281C30
PRODUCTION DATA
8.4.3 電感負載關斷鉗位
當關斷電感負載時，由于電感特性，輸出電壓下拉至負值。如果在電流衰減期間沒有對電壓進行鉗位，則功率 FET 可能會擊穿。在這種情況下，為了保護功率 FET，請在內部鉗制漏源電壓，即 VDS,clamp（漏極和柵極之間的鉗位二極管）。請注意，僅版本 A、B 中提供內部 VDS,clamp。對于版本 C、D、E，需要在 VDS 上或 VOUT 處提供外部鉗位，以正確地消耗電感能量。
方程式 3. VDS,Clamp = VS – VOUT
在電流衰減期間 (TDECAY)，功率 FET 導通以進行電感能量耗散。電源 (ES) 和負載 (ELOAD) 的能量都消耗在高側電源開關本身上，稱為 EHSD。如果電阻與電感串聯，則部分負載能量會在電阻中耗散。
方程式 4. EHSD = ES + ELOAD = ES + EL – ER
從高側電源開關的角度來看，EHSD 等于電流衰減期間的積分值。
方程式 5. 
方程式 6. 
方程式 7. 
當 R 大概等于 0 時，EHSD 可以簡單地表示為：
方程式 8. 
圖 8-11 驅動電感負載
圖 8-12 電感負載關斷圖如前所述，關斷時，電池能量和負載能量會在高側電源開關上耗散，這會導致熱變化較大。對于每個高側電源開關，最大安全功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環境溫度和電路板功耗條件。TI 提供了器件在測試條件下可承受的單脈沖能量上限：VS = 24V，電感為 0.1mH 至 400mH，R = 0Ω，FR4 2s2p 電路板，2μm × 70μm 銅，2μm × 35μm 銅，散熱焊盤銅面積 600mm2。