ZHCSO18B December 2022 – August 2024 TPS281C30
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGW|20
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGW|20
訂購(gòu)信息
8.4.5.9 增強(qiáng)的 EFT 抗擾度
與其他型號(hào)相比，TPS281C30E 具有增強(qiáng)的 EFT 抗擾度。E 型號(hào)實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)的柵極下拉電路，這有助于在出現(xiàn) EFT 脈沖時(shí)使處于關(guān)斷狀態(tài)的器件保持關(guān)斷狀態(tài)。由于有源電路處于關(guān)斷狀態(tài)，因此與其他型號(hào)相比，E 型號(hào)將在關(guān)斷狀態(tài)期間從電源汲取更大的電流 IQ(OFF)。E 版本器件在關(guān)斷時(shí)輸出端處于高阻態(tài)，且漏電流為 IOUT(OFF)。
最大 EFT 電壓電平 V(EFT) 在很大程度上取決于測(cè)試電路中使用的元件。輸出電容器越大，耦合電容器越小，可承受的 EFT 電壓電平就越高。由于耦合電容值在大多數(shù) EFT 標(biāo)準(zhǔn)中是固定的，因此增大輸出電容值可能是提高最大 EFT 電壓電平的有效方法。
圖 8-21 顯示了 EFT 測(cè)試裝置。如圖所示，TPS281C30E 在 10nF 輸出電容和 100pF 耦合電容條件下，VS 和 VOUT 處通過(guò)了 +/-2.5kV 的 EFT 測(cè)試。如果需要通過(guò)更高的 EFT 等級(jí)測(cè)試，可以增大輸出電容器。A、B、C、D 型號(hào)在 22nF 輸出電容器和 100pF 耦合電容器條件下，VS 和 VOUT 處通過(guò)了+/-2kV EFT 測(cè)試。在關(guān)斷狀態(tài)下，DIAG_EN 對(duì)于 A、B、C、D 版本必須為高電平，才能不進(jìn)入睡眠狀態(tài)并具有上述的 EFT 抗擾度；而對(duì)于 E 版本，DIAG_EN 可以為高電平或低電平，因?yàn)?EFT 保護(hù)電路始終處于活動(dòng)狀態(tài)。測(cè)試條件在 EFT 測(cè)試條件中列出。
在關(guān)斷狀態(tài) EFT 瞬態(tài)期間，通過(guò)強(qiáng)大的下拉電路確保功率 FET 保持關(guān)斷狀態(tài)。該電路在 EFTDELAY 周期后激活，以免影響正常的關(guān)斷壓擺率。然而，該器件在 EFTDELAY 期間不受保護(hù)，如圖 8-22 所示。
圖 8-21 EFT 測(cè)試設(shè)置
圖 8-22 EFT 時(shí)序圖| 器件版本 | EFT 等級(jí) | COUT | CCOUPLING | DIAG_EN |
|---|---|---|---|---|
| A、B、C、D | +/- 2kV | 22nF | 100pF | 高 |
| E | +/- 2.5kV | 10nF | 100pF | 高/低 |