ZHCSHP2B October 2017 – November 2018 TPS2372
PRODUCTION DATA.
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
IEEE802.3bt 新增了有關(guān) 3 型和 4 型運(yùn)行模式的 PSE 輸出限制要求以便涵蓋更高功率的應(yīng)用和 4 線對(duì) 應(yīng)用。2 型、3 型和 4 型 PSE 必須符合已指定最小和最大拉電流邊界的輸出電流與時(shí)間關(guān)系模板。每個(gè) 2 線對(duì)的峰值輸出電流可能高達(dá) 50A(持續(xù) 10μs)或 1.75A(持續(xù) 75ms),而通過 4 線對(duì)輸電時(shí),總峰值電流將是這些值的兩倍。因此,相對(duì)于 IEEE 802.3-2012,該標(biāo)準(zhǔn)更加需要對(duì) PD 設(shè)備進(jìn)行可靠保護(hù)。
內(nèi)部熱插拔 MOSFET 借助限流和抗尖峰脈沖式(延時(shí)濾波式)折返功能來(lái)防止輸出故障和輸入電壓階躍。導(dǎo)通 MOSFET 出現(xiàn)過載時(shí)將觸發(fā)限流功能,結(jié)果使 V(RTN-VSS) 上升。如果 V(RTN-VSS) 上升到大約 14.5V 以上且持續(xù)時(shí)間超過大約 1.65ms,則電流限值將恢復(fù)到浪涌值,并且 PG 輸出端被強(qiáng)制為低電平,從而關(guān)閉轉(zhuǎn)換器,但這種情況下沒有適用的最小浪涌延遲周期 (81.5ms)。1.65ms 抗尖峰脈沖功能可防止瞬變使 PD 復(fù)位,但前提是恢復(fù)處于熱插拔和 PSE 保護(hù)范圍內(nèi)。Figure 21 顯示了 VDD 至 RTN 短路期間的 RTN 電流曲線示例(使用 5 歐姆負(fù)載阻抗)。熱插拔 MOSFET 將進(jìn)入電流限制范圍,導(dǎo)致 RTN 電壓升高。一旦 VRTN 超過 14.5V,被鉗位到電流限值的 IRTN 將在 1.65ms 后下降到浪涌電流限值水平。
當(dāng) V(VDD-VSS) 下降到 UVLO 下方之后又上升到其上方時(shí),也會(huì)重新建立浪涌電流限值。
Figure 21. 對(duì) PD 輸出短路的響應(yīng) PD 控制器具有熱傳感器,可用于保護(hù)內(nèi)部熱插拔 MOSFET和 MPS 脈沖電流驅(qū)動(dòng)器。啟動(dòng)狀態(tài)或 VDD 至 RTN 短路等狀態(tài)會(huì)在 MOSFET 中引起高功耗。過熱關(guān)斷 (OTSD) 功能會(huì)關(guān)閉熱插拔 MOSFET、類別穩(wěn)壓器和 MPS 驅(qū)動(dòng)器,它們將在器件冷卻后重新啟動(dòng)。過熱事件消失后,熱插拔 MOSFET 將被重新啟用,且 TPS2372 將恢復(fù)到浪涌階段。在供電運(yùn)行期間將 DEN 拉至 VSS 會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部熱插拔 MOSFET 關(guān)閉。
在以下情況下將強(qiáng)制關(guān)閉熱插拔開關(guān):