ZHCSFE0B August 2016 – February 2022 TPD1E10B06-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 AEC-Q101 Qualified
- 7.3.2 IEC 61000-4-2 ESD Protection
- 7.3.3 ISO 10605 ESD Protection
- 7.3.4 IEC 61000-4-5 Surge Protection
- 7.3.5 IO Capacitance
- 7.3.6 Dynamic Resistance
- 7.3.7 DC Breakdown Voltage
- 7.3.8 Ultra Low Leakage Current
- 7.3.9 Clamping Voltage
- 7.3.10 Industrial Temperature Range
- 7.3.11 Space-Saving Footprint
- 7.4 Device Functional Modes
- 8 Application and Implementation
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
- 11Device and Documentation Support
- 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DPY|2
訂購信息
3 說明
TPD1E10B06-Q1 器件是一款雙向 TVS ESD 保護(hù)二極管，提供適合空間受限應(yīng)用的小型 0402 封裝，以及業(yè)界通用的引線式 SOD-523 封裝，以支持自動光學(xué)檢測 (AOI)。TPD1E10B06-Q1 的額定 ESD 沖擊耗散值高于 IEC 61000-4-2 4 級國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的最高水平，原因是其 ESD 電壓可輕松升至 5000V，超出足以損壞眾多集成電路的電壓值，但在極端條件下，這些電壓將顯著升高。例如，在濕度較低的環(huán)境下，電壓可超過 20000V。
低動態(tài)電阻和低鉗位電壓可確保提供系統(tǒng)級瞬變事件保護(hù)，從而為暴露于 ESD 事件下的設(shè)計提供充分保護(hù)。該器件還具有 12pF IO 電容，因此非常適用于音頻線路、按鈕、存儲器接口或 GPIO。
該器件還具有未經(jīng)過汽車認(rèn)證的型號：TPD1E10B06。
器件信息(1)
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| TPD1E10B06-Q1 | X1SON (2) | 0.6mm x 1.00mm |
| SOD-523 (2) | 0.80 mm × 1.2 mm |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
典型應(yīng)用原理圖