產品詳情

Number of channels 1 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 IO capacitance (typ) (pF) 12 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.4 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 1 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 90 IO capacitance (typ) (pF) 12 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.4 Interface type Audio, General purpose Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-5X3 (DYA) 2 1.28 mm2 1.6 x 0.8 X1SON (DPY) 2 0.6 mm2 1 x 0.6
  • 符合 AEC-Q101 標準
  • IEC 61000-4-2 級 4 ESD 保護
    • ±30kV 接觸放電
    • ±30kV 氣隙放電
  • ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保護
    • ±8kV 接觸放電 (DPY)
    • ±15kV 氣隙放電 (DPY)
    • ±25kV 接觸放電 (DYA)
    • ±25kV 氣隙放電 (DYA)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 6A (8μs/20μs)
  • I/O 電容 12pF（典型值）
  • RDYN：0.38Ω（典型值）
  • 直流擊穿電壓：±6V（最小值）
  • 超低泄漏電流 100nA（最大值）
  • 10V 鉗位電壓（IPP = 1A 時的典型值）
  • 工業溫度范圍：–40°C 至 +125°C
  • 節省空間的 0402 外形尺寸
  • 業界通用引線式 SOD-523 封裝 (1.6mm × 0.8mm × 0.65mm)
  • 符合 AEC-Q101 標準
  • IEC 61000-4-2 級 4 ESD 保護
    • ±30kV 接觸放電
    • ±30kV 氣隙放電
  • ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保護
    • ±8kV 接觸放電 (DPY)
    • ±15kV 氣隙放電 (DPY)
    • ±25kV 接觸放電 (DYA)
    • ±25kV 氣隙放電 (DYA)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保護
    • 6A (8μs/20μs)
  • I/O 電容 12pF（典型值）
  • RDYN：0.38Ω（典型值）
  • 直流擊穿電壓：±6V（最小值）
  • 超低泄漏電流 100nA（最大值）
  • 10V 鉗位電壓（IPP = 1A 時的典型值）
  • 工業溫度范圍：–40°C 至 +125°C
  • 節省空間的 0402 外形尺寸
  • 業界通用引線式 SOD-523 封裝 (1.6mm × 0.8mm × 0.65mm)

TPD1E10B06-Q1 器件是一款雙向 TVS ESD 保護二極管，提供適合空間受限應用的小型 0402 封裝，以及業界通用的引線式 SOD-523 封裝，以支持自動光學檢測 (AOI)。TPD1E10B06-Q1 的額定 ESD 沖擊耗散值高于 IEC 61000-4-2 4 級國際標準規定的最高水平，原因是其 ESD 電壓可輕松升至 5000V，超出足以損壞眾多集成電路的電壓值，但在極端條件下，這些電壓將顯著升高。例如，在濕度較低的環境下，電壓可超過 20000V。

低動態電阻和低鉗位電壓可確保提供系統級瞬變事件保護，從而為暴露于 ESD 事件下的設計提供充分保護。該器件還具有 12pF IO 電容，因此非常適用于音頻線路、按鈕、存儲器接口或 GPIO。

該器件還具有未經過汽車認證的型號：TPD1E10B06。

TPD1E10B06-Q1 器件是一款雙向 TVS ESD 保護二極管，提供適合空間受限應用的小型 0402 封裝，以及業界通用的引線式 SOD-523 封裝，以支持自動光學檢測 (AOI)。TPD1E10B06-Q1 的額定 ESD 沖擊耗散值高于 IEC 61000-4-2 4 級國際標準規定的最高水平，原因是其 ESD 電壓可輕松升至 5000V，超出足以損壞眾多集成電路的電壓值，但在極端條件下，這些電壓將顯著升高。例如，在濕度較低的環境下，電壓可超過 20000V。

低動態電阻和低鉗位電壓可確保提供系統級瞬變事件保護，從而為暴露于 ESD 事件下的設計提供充分保護。該器件還具有 12pF IO 電容，因此非常適用于音頻線路、按鈕、存儲器接口或 GPIO。

該器件還具有未經過汽車認證的型號：TPD1E10B06。
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* 數據表 TPD1E10B06-Q1 采用 0402 和 SOD-523 封裝的汽車類 12pF、±5.5V、±30kV 單通道 ESD 保護二極管 數據表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 3月 31日
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用戶指南 Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日

設計和開發

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評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝（包括 0402、0201 等）的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產品系列的開發平臺。為了測試任何型號的器件，該電路板支持所有傳統的 ESD 封裝結構。器件可以焊接到相應封裝結構，然后進行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管，則應采用阻抗受控布局來獲取 S 參數并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管，則應采用有布線連接到測試點的封裝結構，以便輕松運行直流測試，例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置，輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
用戶指南: PDF | HTML
TI.com 上無現貨
仿真模型

TPD1E10B06-Q1 IBIS Model

SLVMBQ7.ZIP (3 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOT-5X3 (DYA) 2 Ultra Librarian
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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