ZHCSM94D October 2020 – July 2024 TMUX6211 , TMUX6212 , TMUX6213
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- RUM|16
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8.3.7 超低電荷注入
TMUX621x 器件具有傳輸門拓撲結構，如圖 8-1 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關的雜散電容中的任何不匹配都會在開關斷開或閉合時導致輸出電平發生變化。
圖 8-1 傳輸門拓撲TMUX621x 包含可減少漏極 (Dx) 電荷注入的專用架構。為了進一步減少敏感應用中的電荷注入，可以在源極 (Sx) 上添加補償電容器 (Cp)。這將確保開關轉換產生的多余電荷被推入源極 (Sx) 而非漏極 (Dx) 上的補償電容器。通常，Cp 應比漏極 (Dx) 等效負載電容大 20 倍。圖 8-2 展示了源極側不同補償電容器的電荷注入變化。該圖是在 TMUX62xx 系列中的 TMUX6219 上捕獲的，負載電容為 100pF。
圖 8-2 電荷注入補償