ZHCSIF4D June 2018 – September 2022 TMP117
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
為防止意外編程,EEPROM 默認處于鎖定狀態。鎖定后,對寄存器映射位置的任何 I2C 寫入將僅在易失性寄存器上執行,不在 EEPROM 上執行。
圖 7-7 顯示了介紹 EEPROM 編程序列的流程圖。若要對 EEPROM 進行編程,請首先通過設置 EEPROM 解鎖寄存器中的 EUN 位來解鎖 EEPROM。解鎖 EEPROM 后,對寄存器映射位置的任何后續 I2C 寫入都會對 EEPROM 中一個相應的非易失性存儲器位置進行編程。對單個位置進行編程通常需要 7ms 并消耗 230μA 電流。在編程完成之前,請勿執行任何 I2C 寫入操作。編程期間會設置 EEPROM_busy 標志。讀取此標志以監測編程是否完成。對所需數據編程完畢后,發出通用廣播復位命令以觸發軟件復位。來自 EEPROM 的編程數據隨后將作為復位序列的一部分加載到相應的寄存器映射位置。此命令還會清除 EUN 位并自動鎖定 EEPROM 以防止任何進一步的意外編程操作。請避免在 EEPROM 處于解鎖狀態時使用器件來執行溫度轉換。
圖 7-7 EEPROM 編程序列