ZHCSRM8B February 2023 – February 2024 TLVM23615 , TLVM23625
PRODUCTION DATA
TLVM236x5 通過使用高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) MOSFET 的逐周期電流限制電路，可在過流情況下受到保護(hù)。每個開關(guān)周期都會將電流與電流限制閾值進(jìn)行比較。在過流情況下，輸出電壓隨著開關(guān)頻率的降低而降低。
高側(cè) MOSFET 過流保護(hù)是通過典型峰值電流模式控制方案來實現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時間后導(dǎo)通時，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個開關(guān)周期，將 HS 開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點的最小值，或與內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進(jìn)行比較。由于內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出具有最大值并且斜率補償隨占空比增加，因此當(dāng)占空比高于 35% 時，HS 電流限值會隨著占空比的增加而減小。
當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時，也會檢測和監(jiān)控流經(jīng)它的電流。與高側(cè)器件一樣，低側(cè)器件具有由內(nèi)部誤差放大器環(huán)路命令的關(guān)斷功能。對于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關(guān)周期，也會在電流超過此值時阻止關(guān)斷。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。這稱為低側(cè)電流限值。如果超出低側(cè)電流限值，低側(cè) MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，高側(cè)開關(guān)不會導(dǎo)通。一旦低側(cè)電流降至此限值以下，低側(cè)開關(guān)就會關(guān)斷，并且只要自高側(cè)器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個時鐘周期，高側(cè)開關(guān)就會再次導(dǎo)通。
在限流期間，如果 FB 輸入上的電壓因短路而降至大約 0.4V (VHICCUP) 以下，該器件將進(jìn)入斷續(xù)模式。在該模式下，器件在 tW（即大約 50ms）內(nèi)停止開關(guān)，然后通過軟啟動進(jìn)行正常重啟。如果短路情況仍然存在，器件將在電流限制下運行大約 5ms（典型值），然后再次關(guān)斷。只要短路情況仍然存在，該循環(huán)就會重復(fù)。