ZHCSYF8A June 2025 – August 2025 TLV775
PRODUCTION DATA
該器件包含一個熱關(guān)斷保護(hù)電路,用于在導(dǎo)通晶體管的結(jié)溫 (TJ) 上升到 TSD(shutdown)(典型值)時禁用器件。熱關(guān)斷遲滯可確保在溫度降至 TSD(reset)(典型值)時器件復(fù)位(導(dǎo)通)。
半導(dǎo)體芯片的熱時間常數(shù)相當(dāng)短,因此當(dāng)達(dá)到熱關(guān)斷時,器件可以上電下電,直到功率耗散降低。由于器件上的 VIN – VOUT 壓降較大,或?yàn)榇笮洼敵鲭娙萜鞒潆姷睦擞侩娏鬏^高,啟動期間的功率耗散較高。在某些情況下,熱關(guān)斷保護(hù)功能會在啟動完成之前禁用器件。
為了實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行,請將結(jié)溫限制在建議運(yùn)行條件 表中列出的最大值。在超過這個最高溫度的情況下運(yùn)行會導(dǎo)致器件超出運(yùn)行規(guī)格。雖然器件的內(nèi)部保護(hù)電路旨在防止熱過載情況,但此電路并不用于替代適當(dāng)?shù)纳帷J蛊骷掷m(xù)進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)或在超過建議的最高結(jié)溫下運(yùn)行會降低長期可靠性。