ZHCSF46D June 2016 – May 2017 TLV6001 , TLV6002 , TLV6004
PRODUCTION DATA.
7 規格
7.1 絕對最大額定值
在自然通風溫度范圍內測得（除非另有說明）(1)| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電壓 | 電源電壓 | 7 | V | |
| 信號輸入引腳，電壓(2) | (V–) – 0.5 | (V+) + 0.5 | V | |
| 電流 | 信號輸入引腳，電流(2) | -10 | 10 | mA |
| 輸出短路(3) | 連續 | mA | ||
| 溫度 | 工作溫度，TA | –40 | 150 | °C |
| 結溫，TJ | 150 | °C | ||
| 貯存溫度，Tstg | -65 | 150 | °C | |
(1) 超出絕對最大額定值下列出的應力值可能會對器件造成永久損壞。這些僅為在應力額定值下的工作情況，對于額定值下的器件的功能性操作以及在超出推薦的操作條件下的任何其它操作，在此并未說明。在絕對最大額定值條件下長時間運行會影響器件可靠性。
(2) 輸入引腳被二極管鉗制至電源軌。擺幅超過電源軌 0.5V 的輸入信號的電流必須限制在 10mA 或者更少。
(3) 對地短路，每個封裝對應一個放大器。
7.2 ESD 額定值
| 值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 靜電放電 | 人體放電模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±4000 | V |
| 充電器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 規范 JESD22-C101(2) | ±1000 | |||
(1) JEDEC 文檔 JEP155 規定：500V HBM 能夠在標準 ESD 控制流程下安全生產。
(2) JEDEC 文檔 JEP157 規定：250V CDM 能夠在標準 ESD 控制流程下安全生產。
7.3 建議的工作條件
在自然通風條件下的工作溫度范圍內（除非另有說明）| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VS | 電源電壓 | 1.8 | 5.5 | V |
| TA | 額定溫度范圍 | -40 | 125 | °C |
7.4 熱性能信息：TLV6001
| 熱指標(1) | TLV6001 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| DBV (SOT-23) | DCK (SC70) | |||
| 5 引腳 | 5 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 228.5 | 281.4 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 99.1 | 91.6 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 54.6 | 59.6 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 7.7 | 1.5 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 53.8 | 58.8 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | 不適用 | 不適用 | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參閱應用報告《半導體和 IC 封裝熱指標》。
7.5 熱性能信息：TLV6002
| 熱指標(1) | TLV6002 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) | DGK (VSSOP) | |||
| 8 引腳 | 8 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 138.4 | 191.2 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 89.5 | 61.9 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 78.6 | 111.9 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 29.9 | 5.1 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 78.1 | 110.2 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | 不適用 | 不適用 | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參閱應用報告《半導體和 IC 封裝熱指標》。
7.6 熱性能信息：TLV6004
| 熱指標(1) | TLV6004 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| PW (TSSOP) | |||
| 14 引腳 | |||
| RθJA | 結至環境熱阻 | 121.0 | °C/W |
| RθJC(top) | 結至外殼（頂部）熱阻 | 49.4 | °C/W |
| RθJB | 結至電路板熱阻 | 62.8 | °C/W |
| ψJT | 結至頂部的特征參數 | 5.9 | °C/W |
| ψJB | 結至電路板的特征參數 | 62.2 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結至外殼（底部）熱阻 | 不適用 | °C/W |
(1) 有關傳統和新熱指標的更多信息，請參閱應用報告《半導體和 IC 封裝熱指標》。
7.7 電氣特性：VS= 1.8V 至 5V（±0.9V 至 ±2.75V）(1)
TA = 25°C 時，RL = 10kΩ 連接至 VS / 2，并且 VCM = VOUT = VS / 2，除非另有說明。
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 失調電壓 | |||||||
| VOS | 輸入失調電壓 | 0.75 | 4.5 | mV | |||
| dVOS/dT | VOS 溫漂 | TA = –40°C 至 125°C | 2 | μV/°C | |||
| PSRR | 電源抑制比 | 86 | dB | ||||
| 輸入偏置電流 | |||||||
| IB | 輸入偏置電流 | TA = 25°C | ±1.0 | pA | |||
| IOS | 輸入偏移電流 | ±1.0 | pA | ||||
| 輸入阻抗 | |||||||
| ZID | 差分 | 100 || 1 | MΩ || pF | ||||
| ZIC | 共模 | 1 || 5 | 1013Ω || pF | ||||
| 輸入電壓范圍 | |||||||
| VCM | 共模電壓范圍 | 無相位反向，軌到軌輸入 | (V-)-0.2 | (V+)+0.2 | V | ||
| CMRR | 共模抑制比 | VCM = –0.2V 至 5.7V | 60 | 76 | dB | ||
| 開環增益 | |||||||
| AOL | 開環電壓增益 | 0.3V < VO < (V+) – 0.3V，RL = 2kΩ | 90 | 110 | |||
| 相位裕量 | VS=5.0V，G=+1 | 65 | 度 | ||||
| 輸出 | |||||||
| VO | 自電源軌的電壓輸出擺幅 | RL = 100kΩ | 5 | mV | |||
| RL = 2kΩ | 75 | 100 | mV | ||||
| ISC | 短路電流 | ±15 | mA | ||||
| RO | 開環輸出阻抗 | 2300 | Ω | ||||
| 頻率響應 | |||||||
| GBW | 增益帶寬積 | 1 | MHz | ||||
| SR | 壓擺率 | 0.5 | V/µs | ||||
| tS | 穩定時間 | 到 0.1%，VS=5.0V，2V 階躍，G=+1 時的穩定時間 | 5 | μs | |||
| 噪聲 | |||||||
| 輸入電壓噪聲（峰峰值） | f=0.1Hz 至 10Hz | 6 | μVPP | ||||
| en | 輸入電壓噪聲密度 | f = 1kHz | 28 | nV/√Hz | |||
| in | 輸入電流噪聲密度 | f=1kHz | 5 | fA/√Hz | |||
| 電源 | |||||||
| VS | 額定電壓范圍 | 1.8 (±0.9) | 5.5 (±2.75) | V | |||
| IQ | 每個放大器的靜態電流 | IO = 0mA，VS = 5.0V | 75 | 100 | µA | ||
| 開通時間 | VS=0V 至 5V，達到 90% IQ水平 | 10 | µs | ||||
(1) 除非另外注明，否則具有規格上限或下限的參數都在 25ºC 下經過 100% 生產檢測。過熱限值基于特性和統計分析。
7.8 典型特性：圖形列表
Table 1. 圖形列表
| 標題 | 圖表 |
|---|---|
| 開環增益和相位與頻率間的關系 | Figure 1 |
| 靜態電流與電源電壓間的關系 | Figure 2 |
| 失調電壓產生分布 | Figure 3 |
| 失調電壓與共模電壓間的關系（最大電源電壓） | Figure 4 |
| CMRR 和 PSRR 與頻率間的關系 (RTI) | Figure 5 |
| 0.1Hz 至 10Hz 輸入電壓噪聲 (5.5V) | Figure 6 |
| 輸入電壓噪聲頻譜密度與頻率間的關系 (1.8V，5.5V) | Figure 7 |
| 輸入偏置和偏移電流與溫度間的關系 | Figure 8 |
| 開環輸出阻抗與頻率間的關系 | Figure 9 |
| 最大輸出電壓與頻率和電源電壓間的關系 | Figure 10 |
| 輸出電壓擺幅與輸出電流間的關系（過熱） | Figure 11 |
| G=1，-1，10 時閉環增益與頻率間的關系 (1.8V) | Figure 12 |
| 小信號階躍響應，同相 (1.8V) | Figure 13 |
| 小信號階躍響應，同相 (5.5V) | Figure 14 |
| 大信號階躍響應，同相 (1.8V) | Figure 15 |
| 大信號階躍響應，同相 (5.5V) | Figure 16 |
| 無相位反轉 | Figure 17 |
| EMIRR IN+ 與頻率間的關系 | Figure 18 |
7.9 典型特性
TA = 25°C 時，VS = 5V，RL = 10kΩ 連接至 VS / 2，并且 VCM = VOUT = VS / 2，除非另有說明。
（以輸入為參考）
（最小供電電壓）
（最小供電電壓）
（最大供電電壓）
（最大供電電壓）
