ZHCSYP6A February 1997 – July 2025 TLV2322 , TLV2324
PRODUCTION DATA
封裝選項
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機械數據 (封裝 | 引腳)
- D|8
- P|8
- PW|8
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.1.2 輸入特性
指定了 TLV232x 的最小和最大輸入電壓，如果任一輸入端超過該電壓，可能會導致器件故障。超出此指定范圍是一種常見問題，尤其是在單電源供電時。范圍下限包括負電源軌，而上限指定為 VDD – 1V（TA = 25°C 時）和 VDD – 1.2V（所有其他溫度下）。
多晶硅柵極工藝的使用和精心設計的輸入電路，使傳統 TLV232x 與傳統金屬柵極工藝相比具有非常好的輸入偏移電壓漂移特性。CMOS 器件中的偏移電壓漂移在很大程度上受到植入氧化物中的磷摻雜劑極化引起的閾值電壓漂移的影響。將磷摻雜劑置于導體（如多晶硅柵極）中可緩解極化問題，從而使閾值電壓漂移降低一個數量級以上。偏移電壓隨時間的漂移計算值通常為 0.1μV/月，包括運行的第一個月。
通過從傳統的 150mm LinCMOS 工藝遷移到 300mm 直徑晶圓工藝，輸入偏移電壓精度、轉換率、相位裕度、輸出電流驅動能力和高電平輸出電壓得到了相關改進。然而，這一改變引入了一個新的交叉區域，在該區域中，當輸入共模電壓接近 VDD 導軌時，輸入偏移電壓將會發生漂移（通常為 300μV–400μV）。圖 7-2 和圖 7-3 繪制了該特性在各種溫度和 5V 電源下的平均值和標準偏差。
圖 7-2 偏移電壓與輸入共模電壓間的關系
圖 7-3 偏移電壓與輸入共模電壓間的關系由于極高的輸入阻抗和由此產生的低偏置電流要求，TLV232x 是低電平信號處理的絕佳選擇。但是，印刷電路板和插座上的泄漏電流有時很容易超過偏置電流要求，且會導致器件性能下降。最佳實踐是在輸入端周圍添加防護環（類似于參數測量信息一節中圖 6-4 的防護環）。在與共模輸入相同的電壓電平下，從低阻抗源驅動這些防護裝置（請參閱圖 7-4）。
將任何未使用的放大器的輸入端接地，以避免可能的振蕩。
圖 7-4 防護環方案