ZHCSVD3E December 2003 – March 2024 SN65MLVD200A , SN65MLVD202A , SN65MLVD204A , SN65MLVD205A
PRODUCTION DATA
9.2.2.2 電源旁路電容
旁路電容器在配電電路中發揮著關鍵作用。在低頻情況下，電源在其端子之間提供阻抗非常低的路徑。但是，當更高頻率的電流通過電源布線傳播時，源極通常無法保持低阻抗的接地路徑。旁路電容器用于克服這一缺點。通常，板級大旁路電容器（10μF 至 1000μF）可以很好地達到 kHz 范圍。由于大電容器的引線大小和長度，它們在開關頻率下往往具有較大的電感值。要解決這個問題，必須將較小的電容器（nF 至 μF 范圍內）安裝在本地集成電路旁邊。
多層陶瓷芯片或表面貼裝電容器（尺寸 0603 或 0805）可更大限度減少高速環境中旁路電容器的引線電感，因為它們的引線電感約為 1nH。為便于比較，帶引線的典型電容器的引線電感約為 5nH。
根據 Howard Johnson 和 Martin Graham (1993) 所著的 High Speed Digital Design – A Handbook of Black Magic，在本地與 M-LVDS 芯片搭配使用的旁路電容值可由方程式 1 和方程式 2 確定。4ns 的保守上升時間和 100mA 在最壞情況下的電源電流變化涵蓋了德州儀器 (TI) 提供的 M-LVDS 器件的整個范圍。在此示例中，可容忍的最大電源噪聲為 100mV；但是，該數字因設計中可用的噪聲預算而異。
圖 9-2 展示了一種可降低引線電感并涵蓋板級電容器 (> 10μF) 與上述電容值 (0.004μF) 之間的中間頻率的配置。將最小電容值放置在盡可能靠近芯片的位置。
圖 9-2 建議的 M-LVDS 旁路電容器布局