ZHCSIB3I August 1999 – June 2016 LMV821-N , LMV822-N , LMV822-N-Q1 , LMV824-N , LMV824-N-Q1
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細 說明
- 8 應(yīng)用和實現(xiàn)
- 9 電源建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.4.3 輸入偏置電流注意事項
輸入偏置電流 (IB) 可產(chǎn)生較大的失調(diào)電壓。此失調(diào)電壓主要歸因于 IB 流經(jīng)負反饋電阻器 RF。例如，如果 IB 為 90nA（室溫下的最大值），而 RF 為 100kΩ，則會產(chǎn)生 9mV 的失調(diào)電壓 (VOS= IB x RF)。使用補償電阻器 (RC)（如Figure 38 所示）可以消除這種影響。但是，輸入失調(diào)電流 (IOS) 仍會以同樣的方式影響失調(diào)電壓 - 室溫下通常為 0.05mV。
Figure 38. 消除輸入偏置電流對失調(diào)電壓的影響