ZHCSRI4B August 2024 – January 2025 LMR51625 , LMR51635
PRODUCTION DATA
LMR51635 需要一個高頻輸入去耦電容器,并且需要一個大容量電容器(取決于應用)。高頻去耦電容器的典型建議值為 2.2μF 或更高。TI 建議使用具有足夠電壓等級的 X5R 或 X7R 類高品質陶瓷電容。額定電壓必須大于最大輸入電壓。為補償陶瓷電容的容值下降,通常建議使用額定電壓為最大輸入電壓兩倍的電容器。此設計使用兩個額定電壓為 100V 的 2.2μF、X7R 電介質電容器作為輸入去耦電容器。等效串聯電阻 (ESR) 約為 10mΩ,額定電流為 1A。此設計還包含一個值為 0.1μF 的電容器,用于高頻濾波,并且應盡可能靠近器件引腳放置。