ZHCSLK1D February 2022 – November 2024 LMQ66410-Q1 , LMQ66420-Q1 , LMQ66430-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RXB|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.9 電流限值和短路
該器件通過針對(duì)高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護(hù)。高側(cè) (HS) MOSFET 過流保護(hù)是通過典型峰值電流模式控制方案來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個(gè)開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點(diǎn)的最小值，或與內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出減去斜率補(bǔ)償之后的值進(jìn)行比較。當(dāng) HS 開關(guān)電流達(dá)到限流閾值時(shí)，HS 開關(guān)關(guān)閉。由于內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出具有最大值，并且斜率補(bǔ)償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側(cè)電流限值會(huì)隨著占空比的增加而降低。
當(dāng)?shù)蛡?cè) (LS) 開關(guān)接通時(shí)，也會(huì)檢測和監(jiān)控流經(jīng)該開關(guān)的電流。與高側(cè)器件一樣，低側(cè)器件具有由內(nèi)部誤差放大器環(huán)路命令的關(guān)斷功能。對(duì)于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動(dòng)一個(gè)新的開關(guān)周期，也會(huì)在電流超過此值時(shí)阻止關(guān)斷。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。該限值在圖 7-12 中稱為低側(cè)電流限值 IVALMAX。如果超出低側(cè)電流限值，低側(cè) MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，高側(cè)開關(guān)不會(huì)導(dǎo)通。一旦低側(cè)電流降至此限值以下，低側(cè)開關(guān)就會(huì)關(guān)斷，并且只要自高側(cè)器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個(gè)時(shí)鐘周期，高側(cè)開關(guān)就會(huì)再次導(dǎo)通。
圖 7-12 電流限值波形由于電流波形假定值介于 IPEAKMAX 和 IVALMAX 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個(gè)值的平均值，除非占空比非常高。在電流限制下運(yùn)行之后將使用遲滯控制，并且電流不會(huì)隨著輸出電壓接近零而增加。
如果發(fā)生極端過載并滿足以下條件，LMQ664x0-Q1 會(huì)采用斷續(xù)過流保護(hù)：
- 輸出電壓低于輸出電壓設(shè)定點(diǎn)的約 0.4 倍。
- 自軟啟動(dòng)開始以來，經(jīng)過了大于 tSS 的時(shí)間。
- 該器件不處于壓降運(yùn)行狀態(tài)，表明具有最短關(guān)斷時(shí)間受控占空比。
在斷續(xù)模式下，器件會(huì)關(guān)斷，并在 tHICCUP 后嘗試軟啟動(dòng)。斷續(xù)模式有助于在嚴(yán)重過流和短路情況下降低器件功耗。請(qǐng)參閱圖 7-13。
一旦消除過載，器件就會(huì)像在軟啟動(dòng)中一樣恢復(fù)；請(qǐng)參閱圖 7-14。
圖 7-13 進(jìn)入斷續(xù)
圖 7-14 退出斷續(xù)