ZHCSS71 November 2023 LMG3616
PRODUCTION DATA
6.1 GaN 功率 FET 開關參數
圖 6-1 顯示了用于測量 GaN 功率 FET 開關參數的電路。該電路用作雙脈沖測試儀。有關雙脈沖測試儀的詳細信息，請參閱外部基準。電路在升壓配置下運行，低側 LMG3616 為被測器件 (DUT)。高側 LMG3616 充當雙脈沖測試儀二極管，并在關斷狀態第三象限導通模式下實現電感器電流循環。
圖 6-1 GaN 功率 FET 開關參數測試電路
圖 6-2 顯示了 GaN 功率 FET 開關參數。
GaN 功率 FET 導通轉換有三個時序分量：漏極電流導通延遲時間、導通延遲時間和導通上升時間。請注意，導通上升時間與 VDS 80% 至 20% 下降時間相同。所有三個導通時序分量都是 RDRV 引腳設置的函數。
GaN 功率 FET 關斷轉換具有兩個時序分量：關斷延遲時間和關斷下降時間。請注意，關斷下降時間與 VDS 20% 至 80% 上升時間相同。關斷時序分量與 RDRV 引腳設置無關，但在很大程度上取決于 LHB 電流。
與導通上升時間電壓差 (240V) 相比，導通壓擺率是在較小的電壓差 (100V) 下測量的，以獲得更快的壓擺率，這對 EMI 設計很有用。RDRV 引腳用于設定壓擺率。
圖 6-2 GaN 功率 FET 開關參數