ZHCSQH3B November 2022 – January 2025 LMG3522R030 , LMG3526R030 , LMG3527R030
PRODUCTION DATA
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 名稱 | LMG3522R030 | LMG3526R030 | LMG3527R030 | ||
| NC1 | 1、16 | 1、16 | 1、16 | — | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤，不得與 PCB 上的任何其他金屬進(jìn)行物理連接。在內(nèi)部連接到 DRAIN。 |
| DRAIN | 2–15 | 2–15 | 2–15 | P | GaN FET 漏極。在內(nèi)部連接到 NC1。 |
| NC2 | 17、27、43、47、52 | 17、27、43、47、52 | 17、27、43、47、52 | — | 用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。引腳必須焊接至 PCB 著陸焊盤。PCB 著陸焊盤是非阻焊層限定焊盤，不得與 PCB 上的任何其他金屬進(jìn)行物理連接。內(nèi)部連接至源級與散熱焊盤。 |
| 源級 | 18-26、28–39 | 18-26、28–39 | 18-26、28–39 | P | GaN FET 源極。內(nèi)部連接至 NC2 與散熱焊盤。 |
| VNEG | 40, 41 | 40, 41 | 40, 41 | P | 內(nèi)部降壓/升壓轉(zhuǎn)換器負(fù)輸出。用作負(fù)電源，以便關(guān)斷耗盡模式 GaN FET。利用一個 2.2μF 電容器旁接至源級。 |
| BBSW | 42 | 42 | 42 | P | 內(nèi)部降壓/升壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)管腳。在該點(diǎn)與源級之間連接一個電感器。 |
| VDD | 44 | 44 | 44 | P | 器件輸入電源。 |
| IN | 45 | 45 | 45 | I | 用于打開與關(guān)閉 FET 的 CMOS 兼容非反相輸入。 |
| FAULT | 46 | 46 | 46 | O | 故障條件下，置位為低電平的推挽式數(shù)字輸出。如需了解更多詳細(xì)信息，可參閱“故障檢測”部分。 |
| OC | 48 | — | — | O | 在過流與短路故障條件期間置位為低電平的推挽式數(shù)字輸出。如需了解更多詳細(xì)信息，可參閱“故障檢測”部分。 |
| ZVD | — | 48 | — | O | 能夠提供零電壓檢測信號的推挽式數(shù)字輸出，用以指示器件在電流開關(guān)周期中是否實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)。如需了解更多詳細(xì)信息，可參閱零電壓檢測（ZVD）（僅限LMG3526R030）。 |
| ZCD | — | — | 48 | O | 能夠在檢測到正漏源電流時提供零電流檢測信號的推挽式數(shù)字輸出。如需了解更多詳細(xì)信息，可參閱零電流檢測（ZCD）（僅限LMG3527R030）。 |
| TEMP | 49 | 49 | 49 | O | 提供有關(guān) GaN FET 溫度信息的推挽式數(shù)字輸出。輸出一個固定的 9kHz 脈沖波形。對于器件溫度，編碼為波形的占空比。 |
| RDRV | 50 | 50 | 50 | I | 驅(qū)動強(qiáng)度選擇引腳。在此引腳和 SOURCE 之間連接一個電阻器，設(shè)置導(dǎo)通驅(qū)動強(qiáng)度以控制壓擺率。將該引腳連接至 SOURCE 能夠啟用 150V/ns，連接至 LDO5V，能夠啟用 100V/ns。 |
| LDO5V | 51 | 51 | 51 | P | 用于外部數(shù)字隔離器的 5V LDO 輸出。如果在外部使用，請?jiān)谠醇壣线B接一個 0.1μF 或更大的電容器。 |
| 散熱焊盤 | — | — | — | — | 散熱焊盤。內(nèi)部連接至源級與 NC2。 |