ZHCSNE5D October 2020 – February 2024 LMG3522R030-Q1
PRODUCTION DATA
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LMG3522R030-Q1 GaN FET 具有集成式驅動器和保護功能,適用于開關模式電源轉換器,可讓設計人員實現更高水平的功率密度和效率。
LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅動器,可實現高達 150V/ns 的開關速度。與分立式硅柵極驅動器相比,TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術相結合,可在硬開關電源拓撲中提供干凈的開關和超小的振鈴。可調柵極驅動強度允許將壓擺率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之間,這可用于主動控制 EMI 并優化開關性能。
高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進行報告,這可簡化器件加載管理。報告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監控。