ZHCSNN4D October 2020 – May 2025 LMG3422R050 , LMG3426R050 , LMG3427R050
PRODUCTION DATA
通過將一個電阻器 RRDRV 從 RDRV 引腳連接至接地，能夠在大約 20 V/ns 與 150V/ns 之間調(diào)節(jié) LMG342xR050 的壓擺率。如果采用了較大的 RRDRV 電阻器，RDRV 引腳就是一個高阻抗節(jié)點。因此，如果屏蔽效果不好，就很容易受到漏極或其他快速波動高壓節(jié)點的耦合影響 。這會表現(xiàn)為不穩(wěn)定的開關 dv/dt，極端情況下，還會因 RDRV 被檢測為開路導致出現(xiàn)瞬態(tài)故障。布局時，進行引腳屏蔽應當屬于首要任務，但如果這種耦合影響仍然存在問題，則可以在 RDRV 與 GND 之間增加一個用以穩(wěn)定引腳電壓的，電容值不超過 1nF 的電容器。
壓擺率從以下方面影響 GaN 器件的性能：
通常，高壓擺率可實現(xiàn)低開關損耗，但高壓擺率也會產(chǎn)生較高的電壓過沖、噪聲耦合和 EMI 發(fā)射。遵循此數(shù)據(jù)表中的設計建議有助于緩解由高壓擺率引發(fā)的挑戰(zhàn)。LMG342xR050 讓電路設計人員能夠靈活地選擇合適的壓擺率，從而使其應用實現(xiàn)卓越的性能。