ZHCSJF9A March 2019 – June 2019 LMG3410R150 , LMG3411R150
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LMG341xR150 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越硅 MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低 80% 的零反向恢復以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢支持諸如圖騰柱 PFC 之類的密集高效拓撲。
LMG341xR150 通過集成一系列獨特的 特性 提供了傳統共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 的智能替代產品，以簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能。集成式柵極驅動器支持 100V/ns 開關（Vds 振鈴幾乎為零），低于 100ns 的限流可自行防止意外擊穿事件，過熱關斷可防止熱逃逸，而且系統接口信號可提供自監控功能。
| 器件型號 | 封裝 | 封裝尺寸（標稱值） |
|---|---|---|
| LMG341xR150 | QFN (32) | 8.00mm x 8.00mm |