ZHCSQT8 October 2023 LM74930-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 Charge Pump
- 7.3.2 Dual Gate Control (DGATE, HGATE)
- 7.3.3 Overcurrent Protection (CS+, CS-, ILIM, IMON, TMR)
- 7.3.4 Overcurrent Protection with Circuit Breaker (ILIM, TMR)
- 7.3.5 Overcurrent Protection With Latch-Off
- 7.3.6 Short-Circuit Protection (ISCP)
- 7.3.7 Analog Current Monitor Output (IMON)
- 7.3.8 Overvoltage and Undervoltage Protection (OV, UVLO, OVCLAMP)
- 7.3.9 Disabling Reverse Current Blocking Functionality (MODE)
- 7.3.10 Device Functional Modes
-
8 Applications and Implementation
- 8.1 Application Information
- 8.2
Typical Application: 200-V Unsuppressed Load Dump Protection Application
- 8.2.1 Design Requirements for 200-V Unsuppressed Load Dump Protection
- 8.2.2
Detailed Design Procedure
- 8.2.2.1 VS Capacitance, Resistor R1 and Zener Clamp (DZ)
- 8.2.2.2 Charge Pump Capacitance VCAP
- 8.2.2.3 Input and Output Capacitance
- 8.2.2.4 Overvoltage and Undervoltage Protection Component Selection
- 8.2.2.5 Selection of Scaling Resistor (RSET) and Short-Circuit Protection Setting Resistor (RSCP)
- 8.2.2.6 Overcurrent Limit (ILIM), Circuit Breaker Timer (TMR), and Current Monitoring Output (IMON) Selection
- 8.2.2.7 Selection of Current Sense Resistor, RSNS
- 8.2.2.8 Hold-Up Capacitance
- 8.2.2.9 MOSFET Q1 Selection
- 8.2.2.10 MOSFET Q2 Selection
- 8.2.2.11 Input TVS Selection
- 8.2.3 Application Curves
- 8.3 Best Design Practices
- 8.4 Power Supply Recommendations
- 8.5 Layout
- 9 Device and Documentation Support
- 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGE|24
訂購信息
3 說明
LM74930-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET，從而模擬理想二極管整流器和電源路徑開/關(guān)控制，并提供過流和過壓保護(hù)功能。4 V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的高側(cè)柵極控制 (HGATE) 可驅(qū)動(dòng)電源路徑中的第一個(gè) MOSFET。該器件使用 HGATE 控制功能在發(fā)生過流、過壓和欠壓事件時(shí)允許負(fù)載斷開（開/關(guān)控制），同時(shí)理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動(dòng)第二個(gè) MOSFET 來代替肖特基二極管，從而通過阻止反向電流從輸出端流到輸入端來實(shí)現(xiàn)輸入反極性保護(hù)和輸出電壓保持。該器件具有集成的電流檢測放大器，通過斷路器功能提供可調(diào)節(jié)的過流和短路保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓和欠壓保護(hù)功能，可防止電源瞬變。LM74930-Q1 有一個(gè) MODE 引腳可用于選擇性地啟用或禁用反向電流阻斷功能。
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。
(2) 封裝尺寸（長 × 寬）為標(biāo)稱值，并包括引腳（如適用）。
具有 200V 負(fù)載突降保護(hù)功能的理想二極管
未抑制的負(fù)載突降 200V - 輸出鉗位