主頁(yè) 電源管理 電源開(kāi)關(guān) 理想二極管/ORing 控制器

LM74930-Q1

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具有斷路器和過(guò)壓保護(hù)功能的汽車類 3V 至 65V 浪涌抑制器

產(chǎn)品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 4 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection Iq (typ) (mA) 0.65 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 4 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Surge protection Iq (typ) (mA) 0.65 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 18500 IGate sink (typ) (mA) 2670 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
VQFN (RGE) 24 16 mm2 4 x 4
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
    • 器件溫度等級(jí) 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 4V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護(hù)低至 –65V
  • 在共源極配置下,可驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
  • 10.5mV 陽(yáng)極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行
  • 低反向檢測(cè)閾值 (-10.5mV),具有快速 DGATE 關(guān)斷響應(yīng) (0.5μs)
  • 18mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)過(guò)流和短路保護(hù)
  • 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 (IMON)
  • 可調(diào)節(jié)過(guò)壓和欠壓保護(hù)
  • 2.5μA 低關(guān)斷電流(EN = 低電平)
  • MODE 引腳可允許雙向電流(MODE = 低電平)
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
    • 器件溫度等級(jí) 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 4V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護(hù)低至 –65V
  • 在共源極配置下,可驅(qū)動(dòng)外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
  • 10.5mV 陽(yáng)極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行
  • 低反向檢測(cè)閾值 (-10.5mV),具有快速 DGATE 關(guān)斷響應(yīng) (0.5μs)
  • 18mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)過(guò)流和短路保護(hù)
  • 精度為 10% 的模擬電流監(jiān)視器輸出 (IMON)
  • 可調(diào)節(jié)過(guò)壓和欠壓保護(hù)
  • 2.5μA 低關(guān)斷電流(EN = 低電平)
  • MODE 引腳可允許雙向電流(MODE = 低電平)
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

LM74930-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET,從而模擬理想二極管整流器和電源路徑開(kāi)/關(guān)控制,并提供過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)功能。4 V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的高側(cè)柵極控制 (HGATE) 可驅(qū)動(dòng)電源路徑中的第一個(gè) MOSFET。該器件使用 HGATE 控制功能在發(fā)生過(guò)流、過(guò)壓和欠壓事件時(shí)允許負(fù)載斷開(kāi)(開(kāi)/關(guān)控制),同時(shí)理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動(dòng)第二個(gè) MOSFET 來(lái)代替肖特基二極管,從而通過(guò)阻止反向電流從輸出端流到輸入端來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入反極性保護(hù)和輸出電壓保持。該器件具有集成的電流檢測(cè)放大器,通過(guò)斷路器功能提供可調(diào)節(jié)的過(guò)流和短路保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過(guò)壓和欠壓保護(hù)功能,可防止電源瞬變。LM74930-Q1 有一個(gè) MODE 引腳可用于選擇性地啟用或禁用反向電流阻斷功能。

LM74930-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET,從而模擬理想二極管整流器和電源路徑開(kāi)/關(guān)控制,并提供過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)功能。4 V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的高側(cè)柵極控制 (HGATE) 可驅(qū)動(dòng)電源路徑中的第一個(gè) MOSFET。該器件使用 HGATE 控制功能在發(fā)生過(guò)流、過(guò)壓和欠壓事件時(shí)允許負(fù)載斷開(kāi)(開(kāi)/關(guān)控制),同時(shí)理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動(dòng)第二個(gè) MOSFET 來(lái)代替肖特基二極管,從而通過(guò)阻止反向電流從輸出端流到輸入端來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入反極性保護(hù)和輸出電壓保持。該器件具有集成的電流檢測(cè)放大器,通過(guò)斷路器功能提供可調(diào)節(jié)的過(guò)流和短路保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過(guò)壓和欠壓保護(hù)功能,可防止電源瞬變。LM74930-Q1 有一個(gè) MODE 引腳可用于選擇性地啟用或禁用反向電流阻斷功能。

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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 LM74930-Q1 具有斷路器、過(guò)壓保護(hù)和故障輸出功能的汽車類理想二極管浪涌抑制器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2022年 7月 19日
功能安全信息 LM74930-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2024年 10月 16日
應(yīng)用簡(jiǎn)報(bào) 使用 LM74930-Q1 針對(duì)汽車系統(tǒng)中未抑制的負(fù)載突降提供保護(hù) PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2023年 11月 16日
EVM 用戶指南 LM74930-Q1 理想二極管控制器評(píng)估模塊 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2023年 11月 9日
證書(shū) LM74930Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 10月 5日

設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

LM74930Q1EVM — LM74930-Q1 具有斷路器的 3V 至 65V 浪涌抑制器評(píng)估模塊

LM74930-Q1 評(píng)估模塊 (EVM) 是一個(gè)用于評(píng)估 LM74930-Q1 理想二極管控制器在反向電池保護(hù)應(yīng)用中的運(yùn)行和性能的平臺(tái)。LM74930Q1EVM 可以演示 LM74930-Q1 如何控制兩個(gè)背對(duì)背 N 溝道功率 MOSFET,以模擬具有浪涌抑制器、斷路器和過(guò)壓保護(hù)功能的理想二極管整流器。

用戶指南: PDF | HTML
英語(yǔ)版: PDF | HTML
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仿真模型

LM74930-Q1 PSpice Transient Model

SNOM787.ZIP (73 KB) - PSpice Model
計(jì)算工具

LM74930-CALC Design calculator for LM74930-Q1 ideal diode controller

The design calculator allows user to size the external peripheral components while designing with LM74930-Q1 ideal diode controller
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
理想二極管/ORing 控制器
LM74930-Q1 具有斷路器和過(guò)壓保護(hù)功能的汽車類 3V 至 65V 浪涌抑制器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù),您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案,然后再進(jìn)行布局和制造,可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
參考設(shè)計(jì)

PMP23468 — 適用于音頻系統(tǒng)的 48V 輸入、875W 峰值功率、多相降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

該參考設(shè)計(jì)為汽車音頻系統(tǒng)提供保護(hù)和電源。在整個(gè)輸出電壓范圍內(nèi)針對(duì) 48V 直流輸入運(yùn)行進(jìn)行了測(cè)試:6VDC 至 35VDC。該設(shè)計(jì)在標(biāo)稱負(fù)載條件下的峰值效率為 97%,并且對(duì)于 6VDC 和 35VDC 之間的負(fù)載轉(zhuǎn)換,沒(méi)有明顯的輸出電壓下沖和過(guò)沖。該測(cè)試報(bào)告提供涵蓋輸出電壓范圍和負(fù)載的運(yùn)行數(shù)據(jù),包括波特圖、開(kāi)關(guān)波形、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)、啟動(dòng)和關(guān)斷波形以及熱圖像。
測(cè)試報(bào)告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN (RGE) 24 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。

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