ZHCSNK1 december 2022 LM7481
PRODUCTION DATA
9.4.1 瞬態保護
當外部 MOSFET 在過壓切斷、反向電流阻斷、EN/UVLO 導致電流中斷等條件下關斷時，輸入線路電感會在輸入端產生正電壓尖峰，而輸出電感會在輸出端產生負電壓尖峰。電壓尖峰（瞬變）的峰值振幅取決于與器件輸入或輸出串聯的電感值。如果未采取措施解決此問題，這些瞬變可能會超過器件的絕對最大額定值。
解決瞬變的典型方法包括：
- 更大限度減少進出器件的引線長度和電感
- 使用大 PCB GND 平面
- 在輸出端和 GND 使用肖特基二極管來吸收負尖峰
- 使用低值陶瓷電容器（C(IN) 約為 0.1μF）來吸收能量并抑制瞬變。
輸入電容的近似值可通過方程式 8 進行估算。
方程式 8. 
其中
- V(IN) 是標稱電源電壓
- I(LOAD) 是負載電流
- L(IN) 等于在源中觀察到的有效電感
- C(IN) 是輸入端存在的電容
某些應用可能需要額外的瞬態電壓抑制器 (TVS)，以防止瞬變超過器件的絕對最大額定值。這些瞬變可能會在 EMC 測試（例如汽車 ISO7637 脈沖）期間發生。
采用可選保護元件（陶瓷電容器、TVS 和肖特基二極管）的電路實現如圖 9-14 所示
* 抑制瞬態所需的可選元件
圖 9-14 LM7481 可選保護元件的電路實現