ZHCSNK1 december 2022 LM7481
PRODUCTION DATA
圖 5-1 DRR 封裝,12 引腳 WSON(頂視圖)| 引腳 | 類型(1) | 說明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | LM74810 | |||
| WSON | ||||
| DGATE | 1 | O | 二極管控制器柵極驅動輸出。連接到外部 MOSFET 的柵極。理想二極管的陽極。 | |
| A) | 2 | I | 理想二極管的陽極。連接到外部 MOSFET 的源極。 | |
| VSNS | 3 | I | 電壓檢測輸入。 | |
| SW | 4 | I | 電壓檢測斷開開關端子。VSNS 和 SW 通過開關在內部連接。使用 SW 作為電池檢測或 OV 電阻梯網絡的頂部連接。當 EN/UVLO 被拉至低電平時,該開關關斷,斷開電阻梯與電池線路的連接,從而切斷漏電流。如果未使用 VSNS 和 SW 之間的內部斷開開關,則將它們短接在一起并連接到 VS 引腳。 | |
| OV | 5 | I | 可調節過壓閾值輸入。在 SW 與 OV 端子之間連接一個電阻梯。當 OVP 上的電壓超過過壓切斷閾值時,HGATE 被拉至低電平,從而關斷 HSFET。當檢測電壓低于 OVP 下降閾值時,HGATE 導通。 | |
| EN/UVLO | 6 | I | EN/UVLO 輸入。連接到 VS 引腳以實現常開運行。可通過微控制器 I/O 從外部驅動。將其拉至低于 V(ENF) 的低電平可使器件進入低 Iq 關斷模式。對于 UVLO,將外部電阻梯連接到 EN/UVLO 至 GND。 | |
| GND | 7 | G | 連接到系統接地層。 | |
| HGATE | 8 | O | HSFET 的柵極驅動器輸出。連接到外部 FET 的柵極。 | |
| OUT | 9 | I | 連接到輸出電源軌(外部 MOSFET 源極)。 | |
| VS | 10 | I | IC 的輸入電源。將 VS 連接到共漏極背對背 MOSFET 配置的中點。在 VS 和 GND 引腳之間連接一個 100nF 電容器。 | |
| CAP | 11 | O | 電荷泵輸出。在 CAP 和 VS 之間連接一個 100nF 電容器。 | |
| C | 12 | I | 理想二極管的陰極。連接到外部 MOSFET 的漏極。 | |
| RTN | 散熱焊盤 | — | 將外露焊盤保持懸空。不要連接到 GND 平面。 | |