重要的 MOSFET 電氣參數包括最大連續漏極電流 I_D、最大漏源電壓 V_DS(MAX)、通過體二極管的最大源極電流和漏源導通電阻 R_DSON。

最大持續漏極電流 I_D 額定值必須超過最大持續負載電流。最大漏源電壓 V_DS(MAX) 必須足夠高，以便承受應用中所見的最高差分電壓，包含任何預期故障條件。建議將電壓等級為 60V 最大值的 MOSFET 與 LM74704-Q1 搭配使用，因為 ANODE 和 CATHODE 引腳最大電壓額定值為 65V。LM74704-Q1 可驅動的最大 V_GS 為 13V，因此必須選擇 V_GS 最小值為 15V 的 MOSFET。如果選擇了 V_GS 額定值小于 15V 的 MOSFET，則可以使用齊納二極管將 V_GS 鉗位到安全電平。啟動期間，浪涌電流會流過體二極管，為輸出端的大容量保持電容器充電。流經體二極管的最大拉電流必須高于應用中可以看到的浪涌電流。

為了減少 MOSFET 傳導損耗，應盡可能降低 R_DS(ON)，但根據低 R_DS(ON) 選擇 MOSFET 可能并非總能如愿。更高的 R_DS(ON) 可在更低反向電流級別為 LM74704-Q1 反向比較器提供更高電壓信息。隨著 R_DS(ON) 的增加，反向電流檢測效果更好。建議在標稱負載條件下以穩壓導通模式運行 MOSFET，并選擇 R_DS(ON)，以便在標稱工作電流下，正向壓降 V_DS 接近 20mV 調節點且不超過 50mV。

原則上，選擇 (20mV / I_{Load(Nominal)}) ≤ R_DS(ON) ≤ ( 50mV / I_{Load(Nominal)})。

MOSFET 制造商通常指定 V_GS 為 4.5V 和 V_GS 為 10V 的 R_DS(ON)。當 V_GS 低于 4.5V 時，R_DS(ON) 會大幅增加；當 V_GS 接近 MOSFET V_th 時，R_DS(ON) 最高。為了在輕負載條件下實現穩定調節，建議在 V_GS 接近 4.5V（即遠高于 MOSFET 柵極閾值電壓）時運行 MOSFET。建議選擇典型柵極閾值電壓 V_th 為 2V 至 2.5V 的 MOSFET。選擇較低 V_th MOSFET 也會縮短導通時間。

根據設計要求，首選 MOSFET 額定值為：

• 60V V_DS(MAX) 和 ±20V V_GS(MAX)
• 3A 標稱電流下的 R_DS(ON)：(20mV / 3A ) ≤ R_DS(ON) ≤ (50mV / 3A ) = 6.67mΩ ≤ R_DS(ON) ≤ 16.67mΩ
• MOSFET 柵極閾值電壓 _Vth：2 V（典型值）

必須根據 MOSFET 的預期最大功率耗散來考慮 MOSFET 的熱阻，確保結溫 (T_J) 得到良好控制。