ZHCSQU8A May 2023 – December 2023 LM74703-Q1 , LM74704-Q1
PRODUCTION DATA
電荷泵提供驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 所需的電壓。在 VCAP+ 和 VCAP– 引腳之間放置一個(gè)外部電荷泵電容器,可以提供能量來導(dǎo)通外部 MOSFET。為了使電荷泵向外部電容器提供電流,EN 引腳電壓必須高于指定的輸入高電平閾值 V(EN_IH)。電荷泵啟用后,可提供典型值為 300μA 的充電電流。如果 EN 引腳被拉至低電平,則電荷泵保持禁用狀態(tài)。為確保可將外部 MOSFET 驅(qū)動(dòng)至高于其指定閾值電壓,在啟用內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)器之前,VCAP+ 至 VCAP– 的電壓必須高于欠壓鎖定閾值(通常為 6.6V)。使用方程式 1 可以計(jì)算初始柵極驅(qū)動(dòng)器使能延遲。
其中
為消除柵極驅(qū)動(dòng)器上的任何抖動(dòng),可將大約 900mV 的遲滯添加到 VCAP 欠壓鎖定。電荷泵保持啟用狀態(tài),直到 VCAP+ 至 VCAP– 的電壓達(dá)到 13V(典型值),此時(shí)電荷泵通常處于禁用狀態(tài),從而減少 ANODE 引腳上的電流消耗。電荷泵保持禁用狀態(tài),直到 VCAP+ 至 VCAP– 的電壓低于 12.1V(典型值),從而啟用電荷泵。VCAP+ 至 VCAP– 之間的電壓繼續(xù)在 12.1V 和 13V 之間充電和放電,如圖 8-1 所示。通過啟用和禁用電荷泵,可降低 LM74703-Q1 的工作靜態(tài)電流。當(dāng)電荷泵處于禁用狀態(tài)時(shí),灌電流為 5μA。