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ZHCSKN7I November 2019 – October 2025 LM63635-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|16
DRR|12

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

PWP|16
- PPTD262C
DRR|12
- PPTD366A

訂購信息

8.2.2.4 輸出電容器選型

輸出電容器的值和 ESR 決定了輸出電壓紋波和負(fù)載瞬態(tài)性能。輸出電容器組通常受限于負(fù)載瞬態(tài)要求，而不是輸出電壓紋波。使用方程式 9 估算總輸出電容的下限值和 ESR 的上限值，這些值是滿足規(guī)定的負(fù)載瞬態(tài)所需的。

方程式 9.

C_{O U T} \geq \frac{{? I}_{O U T}}{f_{S W} \times {? V}_{O U T} \times K} \times [(1 - D) \times (1 + K) + \frac{K^{2}}{12} \times (2 - D)]

E S R \leq \frac{(2 + K) \times {? V}_{O U T}}{2 \times {? I}_{O U T} \times [1 + K + \frac{K^{2}}{12} \times (1 + \frac{1}{(1 - D)})]}

D = \frac{V_{O U T}}{V_{I N}}

其中

ΔV_OUT = 輸出電壓瞬態(tài)
ΔI_OUT = 輸出電流瞬態(tài)
K = 節(jié) 8.2.2.3中的紋波系數(shù)

計算輸出電容和 ESR 后，使用方程式 10 檢查輸出電壓紋波峰峰值 V_r。

方程式 10.

V_{r} ? {? I}_{L} \times \sqrt{{E S R}^{2} + \frac{1}{{(8 \times f_{S W} \times C_{O U T})}^{2}}}

然后，可調(diào)節(jié)輸出電容器和 ESR 以滿足負(fù)載瞬態(tài)和輸出紋波要求。

此示例要求 ΔV_OUT ≤ 200mV，輸出電流階躍為 ΔI_OUT = 3.25A。方程式 9 得出的最小值為 28μF 且最大 ESR 為0.056Ω。假設(shè) 20% 的容差和 10% 的偏置降額，用戶到達(dá)的最小電容為 39μF?？梢酝ㄟ^一組 1210 外殼尺寸的 2 × 22μF 16V 陶瓷電容器來實現(xiàn)該電容?？梢允褂酶嗟妮敵鲭娙輥砀纳曝?fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。陶瓷電容器可以輕松滿足最低 ESR 要求。在某些情況下，可以將鋁電解電容器與陶瓷并聯(lián)放置，以建立所需的電容值。當(dāng)混合使用鋁和陶瓷電容器時，請使用陶瓷的最小建議值并根據(jù)需要添加鋁電解電容器。

通常，對于 3.3V 或更低的輸出電壓，使用額定電壓至少為 10V 的電容器；對于 5V 或更高的輸出電壓，使用額定電壓為 16V 或更高的電容器。

表 8-1 給出的建議提供了給定條件下輸出電容的典型值和最小值。這些值是額定值或銘牌上的數(shù)字。如果要使用最小值，則必須在所有預(yù)期應(yīng)用條件下測試該設(shè)計，包括輸入電壓、輸出電流和環(huán)境溫度。此測試必須包括波特圖和負(fù)載瞬態(tài)評估?？傒敵鲭娙莸淖畲笾当仨毾拗圃谠O(shè)計值的 10 倍左右，或 1000μF，以較小者為準(zhǔn)。較大的輸出電容值會對穩(wěn)壓器的啟動行為以及環(huán)路穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響。如果必須使用大于此處注釋的值，則必須仔細(xì)研究滿載啟動和環(huán)路穩(wěn)定性。

實際上，輸出電容器對瞬態(tài)響應(yīng)和環(huán)路相位裕度的影響非常大。負(fù)載瞬態(tài)測試和波特圖是驗證任何給定設(shè)計的理想方法，必須始終在應(yīng)用投入生產(chǎn)之前完成。除了所需的輸出電容外，放置在輸出端的小型陶瓷電容器還可以降低高頻噪聲。1nF 至 100nF 范圍內(nèi)的小外殼尺寸陶瓷電容器有助于減少由電感器和電路板寄生效應(yīng)引起的輸出尖峰。