ZHCSKN7I November 2019 – October 2025 LM63635-Q1
PRODUCTION DATA
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如上所述，TI 建議使用一個中間層作為實心接地層。接地層可為敏感電路和布線屏蔽噪聲，還可為控制電路提供干凈的基準電位。使用緊挨旁路電容器的過孔，將 AGND 和 PGND 引腳連接到接地層。PGND 引腳直接連接到低側 MOSFET 開關的源極，也直接連接到輸入和輸出電容器的接地端。PGND 網在開關頻率下會產生噪聲，會因負載變化而反彈。PGND 布線以及 VIN 和 SW 布線應限制在接地層的一側。接地層另一側的噪聲要少得多，必須用于敏感的布線。
TI 建議使用器件的散熱焊盤 (DAP) 作為主要散熱途徑，從而使器件充分散熱。使用至少 4 × 3 陣列的 10mil 散熱過孔將 DAP 連接到系統接地層散熱器。過孔必須均勻地分布在 DAP 下方。系統接地層、頂層和底層的覆銅越厚，越利于散熱。使用四層電路板，四層的銅厚（從頂層開始）依次為：2oz/1oz/1oz/2oz。具有足夠銅厚度和適當布局布線的四層電路板可實現低電流傳導阻抗、適當的屏蔽和較低的熱阻。