ZHCSTT4H November 2007 – October 2024 LM3481
PRODUCTION DATA
與升壓轉換器一樣,MOSFET 選型要考慮的重要參數包括最小閾值電壓 VTH(MIN)、導通電阻 RDS(ON)、總柵極電荷 Qg、反向傳輸電容 CRSS 和最大漏源電壓 VDS(MAX)。SEPIC 中的峰值開關電壓由下式給出:
選擇的 MOSFET 應滿足以下條件:
峰值開關電流由下式給出:

其中 ΔIL1 和 ΔIL2 分別是電感器 L1 和 L2 的峰峰值電感器紋波電流。
流經開關的均方根電流由下式給出:
