ZHCSTT4H November 2007 – October 2024 LM3481
PRODUCTION DATA
LM3481 的驅動引腳 (DR) 必須連接至外部 MOSFET 的柵極。在升壓拓撲中,外部 N 溝道 MOSFET 的漏極連接到電感器,而源極連接到地。驅動引腳電壓 VDR 取決于輸入電壓(請參閱節 5.6)。在大多數應用中,可以使用邏輯電平 MOSFET。對于極低的輸入電壓,應使用子邏輯電平 MOSFET。
所選的 MOSFET 直接控制效率。選擇 MOSFET 的關鍵參數包括:
MOSFET 的關斷狀態電壓約等于輸出電壓。MOSFET 的 VDS(MAX) 必須大于輸出電壓。MOSFET 中的功率損耗可分為導通損耗和交流開關損耗或轉換損耗。需要 RDS(ON) 來估算導通損耗。導通損耗 PCOND 是 MOSFET 上的 I2R 損耗。最大導通損耗由下式給出:

其中,DMAX 是最大占空比。

在高開關頻率下,開關損耗可能是總損耗的最大部分。
由于給定 MOSFET 在運行中的寄生效應發生變化,因此很難計算開關損耗。通常,各個 MOSFET 數據表沒有提供足夠的信息來得出有用的結果。方程式 38 和方程式 39 大致說明了如何計算開關損耗:

