ZHCSTU4B March 2011 – December 2024 LM3481-Q1
PRODUCTION DATA
LM3481-Q1 器件采用固定頻率、脈寬調制 (PWM) 電流模式控制架構。在典型應用電路中,流經(jīng)外部 MOSFET 的峰值電流通過外部檢測電阻進行檢測。該電阻器上的電壓被饋送到 ISEN 引腳。然后,該電壓會進行電平轉換并被饋送到 PWM 比較器的正輸入端。輸出電壓也通過外部反饋電阻分壓器網(wǎng)絡進行檢測,并被饋送到誤差放大器 (EA) 負輸入端(反饋引腳,F(xiàn)B)。誤差放大器(COMP 引腳)的輸出會添加到斜率補償斜坡中,然后被饋送到 PWM 比較器的負輸入端。
在任何開關周期開始時,振蕩器都會使用 SET/消隱和開關邏輯塊設置 RS 鎖存器。這會在 DR 引腳(外部 MOSFET 的柵極)上強制產(chǎn)生一個高電平信號,并且外部 MOSFET 會導通。當 PWM 比較器正輸入端上的電壓超過負輸入端上的電壓時,RS 鎖存器會復位并且外部 MOSFET 會關斷。
檢測電阻上的電壓通常包含雜散噪聲尖峰,如圖 6-1 所示。這些尖峰可以強制 PWM 比較器過早復位 RS 鎖存器。為了防止這些尖峰復位鎖存器,IC 內部的消隱電路會防止 PWM 比較器在鎖存器設置后的短時間內復位鎖存器。此持續(xù)時間稱為消隱時間,通常為 250ns,并在節(jié) 5.5 部分中指定為 tmin (on)。
在極輕負載或空載條件下,當外部 MOSFET 導通時,在消隱時間內提供給輸出電容器的能量會大于提供給負載的能量。LM3481-Q1 內部的過壓比較器通過檢測反饋(FB 引腳)電壓和復位 RS 鎖存器,防止輸出電壓在這些條件下增加。鎖存器保持復位狀態(tài),直到輸出衰減到標稱值。因此,在輕負載時工作頻率會降低,從而實現(xiàn)出色的效率。
圖 6-1 PWM 比較器的基本運行