ZHCSTU4B March 2011 – December 2024 LM3481-Q1
PRODUCTION DATA
LM3481-Q1 的驅(qū)動(dòng)引腳 (DR) 必須連接至外部 MOSFET 的柵極。在升壓拓?fù)渲校獠?N 溝道 MOSFET 的漏極連接到電感器,而源極連接到地。驅(qū)動(dòng)引腳電壓 VDR 取決于輸入電壓(請(qǐng)參閱節(jié) 5.6)。在大多數(shù)應(yīng)用中,可以使用邏輯電平 MOSFET。對(duì)于極低的輸入電壓,應(yīng)使用子邏輯電平 MOSFET。
所選的 MOSFET 直接控制效率。選擇 MOSFET 的關(guān)鍵參數(shù)包括:
MOSFET 的關(guān)斷狀態(tài)電壓約等于輸出電壓。MOSFET 的 VDS(MAX) 必須大于輸出電壓。MOSFET 中的功率損耗可分為導(dǎo)通損耗和交流開(kāi)關(guān)損耗或轉(zhuǎn)換損耗。需要 RDS(ON) 來(lái)估算導(dǎo)通損耗。導(dǎo)通損耗 PCOND 是 MOSFET 上的 I2R 損耗。最大導(dǎo)通損耗由下式給出:

其中,DMAX 是最大占空比。

在高開(kāi)關(guān)頻率下,開(kāi)關(guān)損耗可能是總損耗的最大部分。
由于給定 MOSFET 在運(yùn)行中的寄生效應(yīng)發(fā)生變化,因此很難計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗。通常,各個(gè) MOSFET 數(shù)據(jù)表沒(méi)有提供足夠的信息來(lái)得出有用的結(jié)果。方程式 38 和方程式 39 大致說(shuō)明了如何計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗:

