ZHCSRY0N April 2000 – June 2025 LM2676
PRODUCTION DATA
升壓電容器會產生用于過驅內部功率 MOSFET 柵極的電壓。這樣可通過盡可能降低開關的導通電阻和相關功率損耗來提高效率。對于所有應用，TI 建議使用 0.01μF 50V 陶瓷電容器。