ZHCSQZ7 July 2025 LM25139-Q1
PRODUCTION DATA
對于集成柵極驅動器和偏置電源 LDO 穩壓器的 PWM 控制器，以下方面會極大地影響其實用的工作溫度范圍：
為了使 PWM 控制器在特定的溫度范圍內發揮作用，封裝必須允許有效地散發所產生的熱量，同時使結溫保持在額定限值以內。LM25139-Q1 控制器采用小型 3mm × 3mm 16 引腳 RGT PowerPAD? 集成電路封裝，可滿足一系列應用要求。節 7.4.1.4 總結了此封裝的熱指標。
16 引腳 RGT 封裝提供了一種通過封裝底部外露散熱焊盤實現半導體芯片散熱的方式。雖然封裝的外露焊盤并不直接連接到封裝的任何引線，但會熱連接至 LM25139-Q1 器件的基板（接地端）。此連接可以顯著改善散熱，并且必須采用帶有導熱焊盤、散熱通孔和接地平面的 PCB 來構成完整的散熱系統。LM25139-Q1 的外露焊盤直接焊接在器件封裝下方 PCB 的接地銅層上，從而將熱阻降至一個很小的值。
導熱焊盤與內部和焊接面接地平面之間連接著多個直徑為 0.3mm 的過孔，這些過孔對幫助散熱非常重要。在多層 PCB 設計中，通常會在功率元件下方的 PCB 層上放置一個實心接地平面。這樣不僅為功率級電流提供了一個平面，而且還為發熱器件提供了一個熱傳導路徑。
MOSFET 的散熱特性也非常重要。高側 MOSFET 的漏極焊盤通常連接到 VIN 層來實現散熱。低側 MOSFET 的漏極焊盤則連接到 SW 層，但 SW 層的面積應保持盡可能小，以緩解 EMI 問題。