將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以最大限度地縮短柵極驅動器布線長度，如此一來，與模擬和反饋信號以及電流檢測相關的分量便可以通過如下方式加以考慮：
- 分離電源和信號跡線，并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP、FB、ISNS+ 和 RT 相關的所有敏感模擬布線和元件放置在遠離 SW、HO、LO 或 CBOOT 等高壓開關節點的位置，以避免相互耦合。使用內部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線和電流檢測（ISNS+ 和 VOUT）跡線與電源跡線和元件隔離開來。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器（需要時）靠近 FB 引腳放置，從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到負載處所需的輸出電壓感測點上。
- 以差分對形式布放 ISNS+ 和 VOUT 跡線，從而最大限度地減少噪聲拾取，并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器（如果進行的是分流電流檢測）或連接到感測電容器（如果進行的是電感器 DCR 電流檢測）。
- 盡可能地縮小從 VCC 和 VIN 引腳通過相應去耦電容器到 PGND 引腳的環路面積。將這些電容器盡可能靠近 LM25139-Q1 放置。