ZHCSQZ7 July 2025 LM25139-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGT|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGT|16
訂購信息
7.4.2 布局示例
圖 7-27 顯示了具有分立式功率 MOSFET（Q1 和 Q2）的同步降壓穩(wěn)壓器的單面布局，采用 SON 5mm × 6mm 外殼尺寸。功率級被 GND 焊盤幾何形狀包圍以在需要時連接 EMI 屏蔽。該設(shè)計采用 PCB 的第 2 層作為頂層正下方的電源環(huán)路返回路徑，以構(gòu)成約 2mm2 的小面積開關(guān)電源環(huán)路。這個環(huán)路面積也就是說寄生電感必須盡可能小，從而盡可能地減少 EMI 以及開關(guān)節(jié)點電壓過沖和振鈴。
如高頻電源環(huán)路電流從 MOSFET Q1 和 Q2，再經(jīng)過第 2 層上的電源接地平面，然后通過 0402 陶瓷電容器 C14 至 C19 流回至 VIN。垂直環(huán)路配置中沿相反流動的電流提供了場自相抵消效果，從而減少了寄生電感。圖 7-29 中的側(cè)視圖展示了在多層 PCB 結(jié)構(gòu)中構(gòu)成自相抵消的薄型環(huán)路這一概念。圖 7-28 中所示的第 2 層（GND 平面層）在 MOSFET 正下方提供了一個連接到 Q2 源極端子的緊密耦合電流返回路徑。
靠近 Q1 的漏極并聯(lián)六個具有 0402 或 0603 小型外殼尺寸的 10nF 輸入電容器。小尺寸電容器的低等效串聯(lián)電感 (ESL) 和高自諧振頻率 (SRF) 可以帶來出色的高頻性能。這些電容器的負(fù)端子通過多個直徑為 12mil (0.3mm) 的過孔連接到第 2 層（GND 平面），從而進(jìn)一步最大限度減少寄生環(huán)路電感。
圖 7-27 PCB 頂層 – 高密度單面設(shè)計用于提高抗噪性和降低 EMI 的附加準(zhǔn)則如下：
- 對 LM25139-Q1 控制器進(jìn)行接地連接，如圖 7-27 中所示。為所有高功率組件創(chuàng)建直接連接的電源接地、為敏感模擬組件創(chuàng)建模擬接地平面。AGND 的模擬接地平面與 PGND 的電源接地平面都必須在 IC 正下方單點連接至裸片連接焊盤 (DAP)。
- 使用較短的銅連接（無過孔）將 MOSFET（開關(guān)節(jié)點）直接連接到電感器端子，因為該網(wǎng)絡(luò)具有高 dv/dt 并且會增加輻射 EMI。開關(guān)節(jié)點連接的單層布線意味著具有高 dv/dt 的開關(guān)節(jié)點過孔不會出現(xiàn)在 PCB 的底部。這樣可以避免在 EMI 測試期間電場耦合到參考接地層。VIN 和 PGND 平面覆銅屏蔽了將 MOSFET 連接到電感器端子的多邊形，從而進(jìn)一步減少了輻射 EMI 信號。
- 將 EMI 濾波器 元件放置在 PCB 底部，使元件與頂部的功率級元件隔離開來。
圖 7-28 電源元件正下方的第 2 層完整接地平面