ZHCSG29G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 時,ISOW784x 系列器件可提供高電磁抗擾度和低輻射。該信號隔離通道具有邏輯輸入和輸出緩沖器,由雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵隔開,而電源隔離使用片上變壓器,采用薄膜聚合物作為絕緣材料進行隔離。提供各種正向和反向通道配置。如果輸入信號丟失,不帶 F 后綴的 ISOW784x 器件默認輸出高電平,而帶有 F 后綴的器件默認輸出低電平(請參閱 VSI 和 VSO 可為 VCC 或 VISO,具體取決于通道方向)。
這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線(例如,RS-485、RS-232 和 CAN)或者其他電路上的噪聲電流進入本地接地端以及干擾或損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布線技術,該器件的電磁兼容性得到了顯著增強,可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。電源轉換器效率較高,因而能夠在較高的環(huán)境溫度下工作。器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (SOIC-WB) DWE 封裝。